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公开(公告)号：CN103684256B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210337077.9
申请日：2012-09-12
申请人： 无锡华润矽科微电子有限公司
IPC分类号： H03B5/04
摘要： 本发明涉及一种内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构，属于电路结构技术领域。其包括石英晶体振荡器、晶体振荡器电路模块、温度传感器电路模块、模数转换器电路模块、EEPROM储存器、模拟校准电路模块、计时器电路模块、数字校准电路模块和万年历电路模块。采用模拟校准电路模块和数字校准电路模块配合进行温度补偿，大幅度提高了温度补偿精度和范围，进一步的老化寄存器补偿晶体老化造成的精度损失，从而保证在全温度范围（-40℃～85℃）内达到计时精度±0.5ppm，且本发明的内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构的结构简单，成本低廉，应用范围较为广泛。
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公开(公告)号：CN103684256A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210337077.9
申请日：2012-09-12
申请人： 无锡华润矽科微电子有限公司
IPC分类号： H03B5/04
摘要： 本发明涉及一种内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构，属于电路结构技术领域。其包括石英晶体振荡器、晶体振荡器电路模块、温度传感器电路模块、模数转换器电路模块、EEPROM储存器、模拟校准电路模块、计时器电路模块、数字校准电路模块和万年历电路模块。采用模拟校准电路模块和数字校准电路模块配合进行温度补偿，大幅度提高了温度补偿精度和范围，进一步的老化寄存器补偿晶体老化造成的精度损失，从而保证在全温度范围（-40℃～85℃）内达到计时精度±0.5ppm，且本发明的内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构的结构简单，成本低廉，应用范围较为广泛。
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公开(公告)号：CN103684255A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210336327.7
申请日：2012-09-12
申请人： 无锡华润矽科微电子有限公司
IPC分类号： H03B5/04
摘要： 本发明涉及一种内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，涉及晶体振荡器技术领域。利用该方法能够对未知的晶体振荡器温度频率特性曲线进行拟合，根据获得的特性曲线计算全温度范围内的晶体振荡器补偿数据；而后将选定的多个温度点的补偿数据写入所述的晶体振荡器内，进行频率精度检测，实现基于温度频率特性曲线实现两点校准或单点校准，从而大幅度简化校准的测试流程，提高测试效率，进而在全温度范围(-40℃~85℃)内可实现晶体振荡器精确校准和补偿，补偿后的计时精度可达±2.0ppm。且本发明的内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，其应用方式简便，成本低廉，应用范围也较为广泛。
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公开(公告)号：CN103684255B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210336327.7
申请日：2012-09-12
申请人： 无锡华润矽科微电子有限公司
IPC分类号： H03B5/04
摘要： 本发明涉及一种内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，涉及晶体振荡器技术领域。利用该方法能够对未知的晶体振荡器温度频率特性曲线进行拟合，根据获得的特性曲线计算全温度范围内的晶体振荡器补偿数据；而后将选定的多个温度点的补偿数据写入所述的晶体振荡器内，进行频率精度检测，实现基于温度频率特性曲线实现两点校准或单点校准，从而大幅度简化校准的测试流程，提高测试效率，进而在全温度范围(-40℃~85℃)内可实现晶体振荡器精确校准和补偿，补偿后的计时精度可达±2.0ppm。且本发明的内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，其应用方式简便，成本低廉，应用范围也较为广泛。
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公开(公告)号：CN202918242U
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201220464034.2
申请日：2012-09-12
申请人： 无锡华润矽科微电子有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构，属于电路结构技术领域。其包括石英晶体振荡器、晶体振荡器电路模块、温度传感器电路模块、模数转换器电路模块、EEPROM储存器、模拟校准电路模块、计时器电路模块、数字校准电路模块和万年历电路模块。采用模拟校准电路模块和数字校准电路模块配合进行温度补偿，大幅度提高了温度补偿精度和范围，进一步的老化寄存器补偿晶体老化造成的精度损失，从而保证在全温度范围（-40℃～85℃）内达到计时精度±0.5ppm，且本实用新型的内置晶振的高精度数字温度补偿振荡器电路结构的结构简单，成本低廉，应用范围较为广泛。
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