公开(公告)号：CN100578755C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200810025559.4

申请日：2008-04-29

申请人： 无锡友达电子有限公司

发明人： 苏卡 ,  邓晓军 ,  卜惠琴

IPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L21/331 ,  H01L21/76

摘要： 采用磷埋及深磷埋技术的双极型纵向NPN管制作工艺是一种在双极型纵向NPN管制作工艺中采用磷埋及深磷埋技术的工艺方法，为了减小NPN管饱和压降，提高电路输出功率。采用磷埋及深磷埋技术的双极型纵向NPN管制作工艺，即在制作NPN管的双极工艺中采用磷埋层及深磷埋技术。采用磷埋及深磷埋技术与常规采用锑埋技术芯片面积大小相同，不需额外增加芯片面积，仅工艺过程有所不同。采用磷埋及深磷埋工艺制作NPN管的材料片为P型 晶向，电阻率为10～20Ω·cm，而采用深磷埋技术后，由于深磷埋的上翻作用，可以有效的补偿深磷扩散较深时的浓度与体积，从而消除了深磷与埋层接触处电阻偏大的瓶颈问题。

公开(公告)号：CN114709254B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210337815.3

申请日：2022-04-01

申请人： 无锡友达电子有限公司

发明人： 苏卡 ,  邓晓军

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L27/08 ,  H01L21/82

摘要： 本发明涉及一种带有复合埋层的高压并联二极管结构，包括P型衬底，所述P型衬底上方设有P型外延层，所述P型衬底内，由上至下依次设有第一N型埋层和第二N型埋层，其中第一N型埋层的上部位于所述P型外延层内；所述P型外延层内，间隔设有多个有源区和场区，所述有源区和场区位于所述第一N型埋层的上方。本发明既能够实现高反向击穿电压，又能够对地寄生PNP效应小。

公开(公告)号：CN102709900A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210186604.0

申请日：2012-06-07

申请人： 无锡友达电子有限公司

发明人： 苏卡 ,  马晓辉

IPC分类号： H02H9/04

摘要： 本发明公布了一种输入级保护电路，其包括NPN三极管Q1、N个二极管D1-DN和电阻R1；所述NPN三极管Q1集电极接输入端Vin，发射极接地；所述电阻R1接在所述NPN三极管Q1基极和发射极之间；所述N个二极管D1-DN串联接在NPN三极管Q1基极和集电极之间，二极管D1的阳极接NPN三极管Q1的集电极，二极管DN的阴极接NPN三极管Q1的基极。本发明能够对电路的输入级在出现异常输入信号时起到有效的保护作用，保护电压可以根据被保护电路的需求设置，并且可以在不影响电路正常工作和性能的前提下将VZ值设置到5.8V以下,其应用范围比常规二极管要宽，所需要的面积也比较小，并且不需要额外的版图层次和工艺步骤。

公开(公告)号：CN101276784A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810025559.4

申请日：2008-04-29

申请人： 无锡友达电子有限公司

发明人： 苏卡 ,  邓晓军 ,  卜惠琴

IPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L21/331 ,  H01L21/76

摘要： 采用磷埋及深磷埋技术的双极型纵向NPN管制作工艺是一种在双极型纵向NPN管制作工艺中采用磷埋及深磷埋技术的工艺方法，为了减小NPN管饱和压降，提高电路输出功率。采用磷埋及深磷埋技术的双极型纵向NPN管制作工艺，即在制作NPN管的双极工艺中采用磷埋层及深磷埋技术。采用磷埋及深磷埋技术与常规采用锑埋技术芯片面积大小相同，不需额外增加芯片面积，仅工艺过程有所不同。采用磷埋及深磷埋工艺制作NPN管的材料片为P型 晶向，电阻率为10～20Ω·cm，而采用深磷埋技术后，由于深磷埋的上翻作用，可以有效的补偿深磷扩散较深时的浓度与体积，从而消除了深磷与埋层接触处电阻偏大的瓶颈问题。

公开(公告)号：CN114709254A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210337815.3

申请日：2022-04-01

申请人： 无锡友达电子有限公司

发明人： 苏卡 ,  邓晓军

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L27/08 ,  H01L21/82

摘要： 本发明涉及一种带有复合埋层的高压并联二极管结构，包括P型衬底，所述P型衬底上方设有P型外延层，所述P型衬底内，由上至下依次设有第一N型埋层和第二N型埋层，其中第一N型埋层的上部位于所述P型外延层内；所述P型外延层内，间隔设有多个有源区和场区，所述有源区和场区位于所述第一N型埋层的上方。本发明既能够实现高反向击穿电压，又能够对地寄生PNP效应小。

公开(公告)号：CN202661914U

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201220267744.6

申请日：2012-06-07

申请人： 无锡友达电子有限公司

发明人： 苏卡 ,  滕龙 ,  邓晓军 ,  张艳丽

IPC分类号： G05F1/56

摘要： 本实用新型公布了一种集成电路温度保护电路，其包括感应温度的帯隙结构、比例电流源、以及用于过温保护的保护回路；将帯隙结构作为集成电路的温度采集器，利用帯隙结构输出随温度升高电流变大的特性，使输出电流经比例电流源转换为输出电压控制过温保护回路工作。本实用新型所提供的过温保护装置，避免了常规设计中由于BE导通压降随工艺波动造成的过温保护点的波动，提高了电路过温保护点的一致性，提高了集成电路的可靠性。