一种清香型抛光液组合物的制备方法

    公开(公告)号:CN115725239B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202211442202.2

    申请日:2022-11-18

    Inventor: 梁振

    Abstract: 本发明提供了一种清香型抛光液组合物的制备方法,所述抛光液由硅溶胶研磨介质、络合剂、表面活性剂、pH调节剂、香精和去离子水组成,其中络合剂选自对‑羟基苯‑β‑D‑吡喃葡萄糖苷,抛光液具更高的材料去除率和更低的表面粗糙度,获得的抛光材料表面光滑,无划伤,且表面抛光介质残留率低,抛光后处理方便,抛光液组合物具有柠檬气味。

    一种晶片抛光液组合物
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115725240B

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202211442203.7

    申请日:2022-11-18

    Inventor: 梁振

    Abstract: 本发明提供了一种晶片抛光液组合物,所述抛光液由硅溶胶研磨介质、络合剂、表面活性剂、pH调节剂和去离子水组成,其中络合剂选自对‑羟基苯‑β‑D‑吡喃葡萄糖苷,抛光液具更高的材料去除率和更低的表面粗糙度,获得的抛光材料表面光滑,无划伤,且表面抛光介质残留率低,抛光后处理方便。

    一种清香型抛光液组合物的制备方法

    公开(公告)号:CN115725239A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202211442202.2

    申请日:2022-11-18

    Inventor: 梁振

    Abstract: 本发明提供了一种清香型抛光液组合物的制备方法,所述抛光液由硅溶胶研磨介质、络合剂、表面活性剂、pH调节剂、香精和去离子水组成,其中络合剂选自对‑羟基苯‑β‑D‑吡喃葡萄糖苷,抛光液具更高的材料去除率和更低的表面粗糙度,获得的抛光材料表面光滑,无划伤,且表面抛光介质残留率低,抛光后处理方便,抛光液组合物具有柠檬气味。

    一种碳化硅基材抛光方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116657231A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310608067.2

    申请日:2023-05-26

    Inventor: 梁振

    Abstract: 本发明提供了一种碳化硅基材抛光方法,采用电化学+化学机械抛光处理碳化硅表面,通过阳极电化学氧化和阴极活性氧氧化,有效的提高碳化硅表面的氧化层程度,进行提高碳化硅的抛光效果。

    一种抛光液组合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118345498A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410509507.3

    申请日:2024-04-26

    Inventor: 梁振

    Abstract: 本发明提供了一种抛光液组合物及其制备方法和应用,所述抛光液能够显著的提高钛合金的电抛光效果,获得的钛合金表面的粗糙度低,抛光液的抛光稳定性好,抛光粗糙度一致性优良,保证了抛光质量,工件表面镜面光滑,呈现一定光泽度。

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