一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置

    公开(公告)号:CN115852455A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211603385.1

    申请日:2022-12-13

    发明人: 王乃奎

    IPC分类号: C25D11/32

    摘要: 本发明公开了一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,涉及到氧化处理设备领域,包括进料仓,进料仓的顶端开设有方口,进料仓的内部固定连接有固定斜板,进料仓的内部设置有转动组件,转动组件包括弧形板,弧形板设置有多个,弧形板转动连接在进料仓的内部。本发明设置了转动组件,利用转动组件的设计,弧形板与第一转动轴,在第一电机的作用下,带动第一转动轴进行转动,在弧形板的带动下,有助于半导体基片单个有序的进行移动,便于半导体基片通过进料仓移动至移动板的顶部,当移动板的顶部盛放够半导体基片后,第一电机停止转动,而限位弧片限制住齿轮进行转动,避免半导体基片在进行运输时,发生碰撞的情况。

    一种硅环表面高精倾斜度的加工设备

    公开(公告)号:CN220575464U

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202321672856.4

    申请日:2023-06-29

    发明人: 王乃奎

    摘要: 本实用新型涉及一种硅环表面高精倾斜度的加工设备,包括加工台,所述加工台上设置有固定调节机构,所述加工台上设置有除尘机构,所述固定调节机构包括固定安装于加工台顶部的加工罩,所述加工台的底部固定安装有抱闸电机,所述抱闸电机的输出轴固定安装有加工座,所述加工座的底部固定安装有数量为两个的限位块,所述加工座的内部固定安装有固定块,所述固定块的两侧均固定安装有限位杆。该硅环表面高精倾斜度的加工设备,通过设置的固定调节机构,在对硅环进行加工打磨时,通过加工台上各结构之间的相互配合,可对硅环进行旋转固定,配合打磨组件可实现对硅环的全方位旋转打磨,提升对硅环的打磨质量,提升打磨效率。