公开(公告)号：CN101583657A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200880002146.2

申请日：2008-01-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 小西贵久 ,  新谷卓司 ,  松下裕秀 ,  高野敦志 ,  浅利壮史

IPC: C08J9/26 ,  B01D71/26 ,  B01D71/28 ,  B01D71/44 ,  B01D71/80

CPC classification number: B01D71/80 ,  B01D67/003 ,  B01D71/24 ,  B01D71/28 ,  B01D71/44 ,  B01D2325/14 ,  B01D2325/16 ,  C08J9/0061 ,  C08J9/26 ,  C08J2201/0462 ,  C08J2353/00

Abstract: 本发明提供一种与现有的方法相比可以提高所得的多微孔体的各种特性的自由度的聚合物多微孔体的制造方法。其中，将包含3种以上的链段、1个以上的链段包含具有可形成离子键和/或氢键的第1官能团的单体单元、并且通过基于链段间的非相容性的相分离而形成包含各链段的区域相互独立且连续的共连续结构的嵌段共聚物与在聚合物链的末端以外具有与第1官能团之间形成离子键和/或氢键的第2官能团的聚合物进行混合，使所述1个以上的链段与聚合物在多点结合，同时，利用相分离，形成含有包含聚合物及与聚合物结合的链段的区域的共连续结构，减弱第1及第2官能团之间的键而从该区域中除去所述聚合物。

公开(公告)号：CN101583657B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200880002146.2

申请日：2008-01-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 小西贵久 ,  新谷卓司 ,  松下裕秀 ,  高野敦志 ,  浅利壮史

IPC: C08J9/26 ,  B01D71/26 ,  B01D71/28 ,  B01D71/44 ,  B01D71/80

CPC classification number: B01D71/80 ,  B01D67/003 ,  B01D71/24 ,  B01D71/28 ,  B01D71/44 ,  B01D2325/14 ,  B01D2325/16 ,  C08J9/0061 ,  C08J9/26 ,  C08J2201/0462 ,  C08J2353/00

Abstract: 本发明提供一种与现有的方法相比可以提高所得的多微孔体的各种特性的自由度的聚合物多微孔体的制造方法。其中，将包含3种以上的链段、1个以上的链段包含具有可形成离子键和/或氢键的第1官能团的单体单元、并且通过基于链段间的非相容性的相分离而形成包含各链段的区域相互独立且连续的共连续结构的嵌段共聚物与在聚合物链的末端以外具有与第1官能团之间形成离子键和/或氢键的第2官能团的聚合物进行混合，使所述1个以上的链段与聚合物在多点结合，同时，利用相分离，形成含有包含聚合物及与聚合物结合的链段的区域的共连续结构，减弱第1及第2官能团之间的键而从该区域中除去所述聚合物。