公开(公告)号：CN119447003A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411020068.6

申请日：2024-07-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 角野雅俊 ,  福井章洋 ,  中浦宏 ,  土生刚志

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  C09J7/29

Abstract: 本发明涉及切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法。提供一种切割带等，其具备基材层、以及重叠于该基材层的单面的粘合剂层，前述基材层具有层叠的多个层，作为该多个层，至少具有包含乙烯‑丙烯酸共聚树脂的第一基材层和包含除前述乙烯‑丙烯酸共聚树脂之外的树脂的第二基材层，在前述第一基材层与前述粘合剂层之间配置有前述第二基材层。

公开(公告)号：CN115368835A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210403242.X

申请日：2022-04-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 角野雅俊 ,  杉村敏正 ,  福井章洋 ,  木村雄大 ,  中浦宏

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J163/00 ,  C09J133/14 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及以使前述粘合剂层的一部分露出的状态层叠在前述粘合剂层上的芯片接合层，前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，前述芯片接合层包含芳香族化合物，使通过将针对前述粘合剂层的露出部分、以及前述粘合剂层的与前述芯片接合层的层叠部分实施FT‑IR分析而得到的多个参数加以组合而导出的参数满足规定的数值范围。

公开(公告)号：CN115368842A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210534982.7

申请日：2022-05-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  杉村敏正 ,  角野雅俊 ,  大西谦司 ,  木村雄大

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 提供切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。该切割芯片接合薄膜具备：切割带，其具有基材层及重叠于该基材层的粘合剂层；及重叠于该切割带的芯片接合片，该粘合剂层包含丙烯酸类共聚物，该丙烯酸类共聚物在分子中作为单体单元至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元，该丙烯酸类共聚物中，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的一部分具有自由基聚合性碳‑碳双键，丙烯酸类共聚物中，相对于该(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份包含该含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元30摩尔份以上且60摩尔份以下，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的50摩尔％以上且95摩尔％以下含有前述自由基聚合性碳‑碳双键。

公开(公告)号：CN115368841A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210534957.9

申请日：2022-05-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  杉村敏正 ,  角野雅俊 ,  大西谦司 ,  木村雄大

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C08F220/18 ,  C08F220/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及粘合带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法。提供下述粘合带等，其用于切割芯片接合薄膜的前述粘合剂层，所述切割芯片接合薄膜具备：粘合剂层、和重叠于该粘合剂层的芯片接合片，前述粘合带包含丙烯酸类共聚物，所述丙烯酸类共聚物在分子中至少具有烷基部分的碳数为12以上的(甲基)丙烯酸脂肪族烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元作为单体单元，前述丙烯酸类共聚物包含前述(甲基)丙烯酸脂肪族烷基酯单元10摩尔％以上且85摩尔％以下、并且包含前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元15摩尔％以上且35摩尔％以下。

公开(公告)号：CN118222201A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311734888.7

申请日：2023-12-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  角野雅俊 ,  大西谦司

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法。提供一种切割芯片接合薄膜等，其具备基材层、重叠于该基材层且具有粘合剂层的切割带、以及重叠于该切割带的芯片接合片，前述切割带在120℃下的拉伸储能模量为0.10MPa以上，并且，在‑15℃下的拉伸储能模量为280MPa以上且500MPa以下。

公开(公告)号：CN116333623A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211642027.1

申请日：2022-12-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  大西谦司 ,  角野雅俊 ,  中浦宏 ,  木村雄大

IPC: C09J7/29 ,  H01L21/683 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C09J11/04

Abstract: 提供切割芯片接合薄膜等，前述切割芯片接合薄膜具备：具有基材层和重叠于该基材层的粘合剂层的切割带、以及重叠于该切割带的芯片接合片，前述切割带在120℃下的弹性模量为0.10MPa以上，前述切割带在120℃下的热收缩率为6％以上。

公开(公告)号：CN115368836A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210404186.1

申请日：2022-04-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  角野雅俊 ,  福井章洋 ,  中浦宏 ,  吉田直子

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J7/40 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，前述丙烯酸系聚合物包含15摩尔％以上的、具有碳数9以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，温度‑15℃下的前述粘合剂层的剪切储能模量为10MPa以下，使用FOX式算出的前述丙烯酸系聚合物的玻璃化转变温度为‑47℃以上且5℃以下。