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公开(公告)号:CN110165033B
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN201910116248.7
申请日:2019-02-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明提供可提高可靠性的发光元件。发光元件具备:半导体结构(112A),包括具有第一区域(R1)及第二区域(R2)的第一半导体层(120n)、及位于第二区域上方的第二半导体层(120p),第一区域包括分别从外周部(Pp)向第二区域延伸的延伸部(Ep);第一绝缘层(140),具有位于各延伸部的第一贯通孔(141)及位于第二区域的第二贯通孔(142);第二绝缘层(160),具有第三贯通孔(163)及第四贯通孔(164);第一外部电极(170An),经由第一贯通孔及第三贯通孔与第一半导体层连接;第二外部电极(170Ap),经由第二贯通孔及第四贯通孔与第二半导体层连接,各延伸部配置于第一半导体层的上表面中除了与第一外部电极的角部重叠的位置以外的部位及除了与第二外部电极的角部重叠的位置以外的部位。
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公开(公告)号:CN110165033A
公开(公告)日:2019-08-23
申请号:CN201910116248.7
申请日:2019-02-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明提供可提高可靠性的发光元件。发光元件具备:半导体结构(112A),包括具有第一区域(R1)及第二区域(R2)的第一半导体层(120n)、及位于第二区域上方的第二半导体层(120p),第一区域包括分别从外周部(Pp)向第二区域延伸的延伸部(Ep);第一绝缘层(140),具有位于各延伸部的第一贯通孔(141)及位于第二区域的第二贯通孔(142);第二绝缘层(160),具有第三贯通孔(163)及第四贯通孔(164);第一外部电极(170An),经由第一贯通孔及第三贯通孔与第一半导体层连接;第二外部电极(170Ap),经由第二贯通孔及第四贯通孔与第二半导体层连接,各延伸部配置于第一半导体层的上表面中除了与第一外部电极的角部重叠的位置以外的部位及除了与第二外部电极的角部重叠的位置以外的部位。
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