公开(公告)号：CN118772179A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410394254.X

申请日：2024-04-02

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 小笠裕史 ,  井上浩希 ,  青柳健一

IPC分类号： C07F5/00 ,  C09K11/06 ,  H10K85/30 ,  H10K50/10

摘要： 本发明提供具有更长耐久性的稀土金属络合物荧光体、这种稀土金属络合物荧光体的制造方法等。金属络合物荧光体的制造方法包括：准备以化学式(I)表示的具有两组甲亚胺基的配位体，将其在第一溶剂中溶解而准备溶液(1)；准备具有以化学式(II)表示的β‑二酮基配位体且不具有以化学式(I)表示的配位体的稀土金属络合物，将其在第二溶剂中溶解而准备溶液(2)；及将上述溶液(1)和上述溶液(2)进行混合，所述金属络合物荧光体的发光峰值波长为600nm以上635nm以下。

公开(公告)号：CN115768853B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202180048030.8

申请日：2021-08-05

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 小笠裕史 ,  吉田茂希 ,  渡边浩之

IPC分类号： C09K11/08 ,  C09K11/79

摘要： 本发明涉及一种氮化物荧光体的制造方法，该方法包括：将包含选自Y、La、Ce、Lu及Gd中的至少1种稀土类元素的化合物在800℃以上且1800℃以下范围内的温度下进行热处理，得到微晶直径为150nm以上的第1热处理物；和在1200℃以上且1800℃以下范围内的温度下对包含上述第1热处理物、以及根据需要含有的原料的混合物进行热处理，得到第2热处理物，作为根据需要包含的原料，包括选自Y、Lu及Gd中的至少1种稀土类元素M的M源、La源、Si源以及Ce源，上述混合物被制成使这些原料成为组成式LawMxSi6Ny:Cez所示的组成。在上述组成式中，w、x、y及z满足0.5≤w≤4.5、0＜x≤1.5、0≤y≤12、0＜z≤1.5、0.15＜(x+z)＜3.0、3.0≤(w+x+z)≤7.5。

公开(公告)号：CN115768853A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180048030.8

申请日：2021-08-05

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 小笠裕史 ,  吉田茂希 ,  渡边浩之

IPC分类号： C09K11/08

摘要： 本发明涉及一种氮化物荧光体的制造方法，该方法包括：将包含选自Y、La、Ce、Lu及Gd中的至少1种稀土类元素的化合物在800℃以上且1800℃以下范围内的温度下进行热处理，得到微晶直径为150nm以上的第1热处理物；和在1200℃以上且1800℃以下范围内的温度下对包含上述第1热处理物、以及根据需要含有的原料的混合物进行热处理，得到第2热处理物，作为根据需要包含的原料，包括选自Y、Lu及Gd中的至少1种稀土类元素M的M源、La源、Si源以及Ce源，上述混合物被制成使这些原料成为组成式LawMxSi6Ny:Cez所示的组成。在上述组成式中，w、x、y及z满足0.5≤w≤4.5、0＜x≤1.5、0≤y≤12、0＜z≤1.5、0.15＜(x+z)＜3.0、3.0≤(w+x+z)≤7.5。