β赛隆荧光体的制造方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113604216B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202110927416.8

    申请日:2017-05-26

    IPC分类号: C09K11/64

    摘要: 本发明提供发光强度高、具有优异的发光辉度的β赛隆荧光体的制造方法。β赛隆荧光体的制造方法的特征在于,包括:准备具有包含活化元素的β赛隆的组成的烧成物的工序、将所述烧成物粉碎而得到粉碎物的工序、和对所述粉碎物进行热处理而得到热处理物的工序,所述粉碎物2的比表面积为0.2m/g以上。

    β赛隆荧光体的制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113604216A

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202110927416.8

    申请日:2017-05-26

    IPC分类号: C09K11/64

    摘要: 本发明提供发光强度高、具有优异的发光辉度的β赛隆荧光体的制造方法。β赛隆荧光体的制造方法的特征在于,包括:准备具有包含活化元素的β赛隆的组成的烧成物的工序、将所述烧成物粉碎而得到粉碎物的工序、和对所述粉碎物进行热处理而得到热处理物的工序,所述粉碎物的比表面积为0.2m2/g以上。

    β赛隆荧光体的制造方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107446575B

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN201710387392.5

    申请日:2017-05-26

    IPC分类号: C09K11/64

    摘要: 本发明提供发光强度高、具有优异的发光辉度的β赛隆荧光体的制造方法。β赛隆荧光体的制造方法的特征在于,包括:准备具有包含活化元素的β赛隆的组成的烧成物的工序、将所述烧成物粉碎而得到粉碎物的工序、和对所述粉碎物进行热处理而得到热处理物的工序,所述粉碎物的比表面积为0.2m2/g以上。