硬涂膜
    1.
    发明公开
    硬涂膜 审中-实审

    公开(公告)号:CN107206756A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201580066043.2

    申请日:2015-12-09

    IPC分类号: B32B27/00

    CPC分类号: B32B27/00

    摘要: 本发明目的在于提供与胶粘剂具有高胶粘性(与胶粘剂的润湿性)、并且防止了干涉条纹产生的硬涂膜。本发明的硬涂膜是在基材膜的至少单面上设置有含有电离射线固化树脂和流平剂的硬涂层的硬涂膜,其特征在于,该硬涂层表面的水的接触角为70度以下、且十六烷的接触角为20度以下。

    硬涂膜及其制造方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109476863B

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN201780025887.1

    申请日:2017-04-26

    IPC分类号: B32B27/16

    摘要: 本发明提供一种硬涂膜,其中,硬涂层的密合性优异,另外具有高的与胶粘剂的胶粘性(与胶粘剂的润湿性),并且防止了干涉条纹的产生。本发明的硬涂膜在丙烯酸系基材膜或环烯烃聚合物系基材膜的至少单面上设置有含有电离射线固化型树脂和流平剂的硬涂层,因而该硬涂层表面的水的接触角为70度以下,且十六烷的接触角为20度以下。

    硬涂膜及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107428971A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201580062326.X

    申请日:2015-09-26

    摘要: 本发明提供具有与平坦性高的基材膜的密合性良好的硬涂层的硬涂膜。本发明的硬涂膜在包含算术平均表面粗糙度(Ra)为1nm以下的热塑性丙烯酸类树脂的透明膜基材上具有硬涂层。上述硬涂层含有每1分子具有2~5个(甲基)丙烯酰基的固化性化合物,该固化性化合物的含有比例相对于上述硬涂层中的全部固化性化合物为25~75重量%。根据JIS K5600的横切法测定的上述硬涂层的残留率为90%以上。

    硬涂膜及其制造方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107428971B

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN201580062326.X

    申请日:2015-09-26

    摘要: 本发明提供具有与平坦性高的基材膜的密合性良好的硬涂层的硬涂膜。本发明的硬涂膜在包含算术平均表面粗糙度(Ra)为1nm以下的热塑性丙烯酸类树脂的透明膜基材上具有硬涂层。上述硬涂层含有每1分子具有2~5个(甲基)丙烯酰基的固化性化合物,该固化性化合物的含有比例相对于上述硬涂层中的全部固化性化合物为25~75重量%。根据JIS K5600的横切法测定的上述硬涂层的残留率为90%以上。

    硬涂膜
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111164139B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN201880056195.8

    申请日:2018-09-27

    摘要: 本发明的目的在于提供一种硬涂膜,其即使对于环烯烃膜等极性基团少、粘附性差的基材膜,在通常条件下和耐湿热条件下的硬涂层的长期粘附性和耐久性也优异。本发明的硬涂膜是在基材膜的至少单面上设置有含有电离射线固化型树脂的硬涂层的硬涂膜,其特征在于,该电离射线固化型树脂满足下述条件(I)。条件(I):峰面积比1(A/C×100)为5%以上(其中,在未固化的电离射线固化型树脂的红外光谱测定中将在3250cm‑1~3500cm‑1处出现的峰面积设定为A,将在1650cm‑1~1800cm‑1处出现的峰面积设定为C)。

    硬涂膜
    7.
    发明公开
    硬涂膜 审中-实审

    公开(公告)号:CN111164139A

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201880056195.8

    申请日:2018-09-27

    摘要: 本发明的目的在于提供一种硬涂膜,其即使对于环烯烃膜等极性基团少、粘附性差的基材膜,在通常条件下和耐湿热条件下的硬涂层的长期粘附性和耐久性也优异。本发明的硬涂膜是在基材膜的至少单面上设置有含有电离射线固化型树脂的硬涂层的硬涂膜,其特征在于,该电离射线固化型树脂满足下述条件(I)。条件(I):峰面积比1(A/C×100)为5%以上(其中,在未固化的电离射线固化型树脂的红外光谱测定中将在3250cm-1~3500cm-1处出现的峰面积设定为A,将在1650cm-1~1800cm-1处出现的峰面积设定为C)。