火花塞
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109149376A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201810671359.X

    申请日:2018-06-26

    Abstract: 本发明涉及火花塞。本发明提供具有能够提高高温环境下的耐电压性能的绝缘体的火花塞。火花塞具有包含氧化铝基烧结体的绝缘体,绝缘体含有Si、Ba和稀土元素。在使用电子射线的探针直径为1nm的扫描透射型电子显微镜进行的分析中,绝缘体在厚度为15nm以下的晶界处检测出Si和稀土元素,并且晶界处的碱土金属低于检出限,在检测出Ba的部分的电子射线衍射图中存在衍射斑。

    火花塞
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109256679A

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201810762138.3

    申请日:2018-07-12

    Abstract: 本发明涉及一种火花塞,在中心电极与主体金属件之间抑制贯通绝缘体的预想不到的放电,并且提高对温度变化的绝缘体的耐久性。火花塞具备:筒状的绝缘体,具有在轴线的方向上延伸的轴孔;中心电极,以至少包括位于绝缘体的前端的部分的方式配置于轴孔内;及主体金属件,以使绝缘体的前端部从主体金属件自身的前端向前端侧突出的方式固定于绝缘体的外周侧。绝缘体的前端部仅由构成前端部的后端侧的部分的第一部分及与第一部分的前端侧相邻并且具有比第一部分的内径大的内径的第二部分构成。在第二部分的内周面设有与绝缘体的前端连接的倒角部。

    火花塞
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109256679B

    公开(公告)日:2020-05-05

    申请号:CN201810762138.3

    申请日:2018-07-12

    Abstract: 本发明涉及一种火花塞,在中心电极与主体金属件之间抑制贯通绝缘体的预想不到的放电,并且提高对温度变化的绝缘体的耐久性。火花塞具备:筒状的绝缘体,具有在轴线的方向上延伸的轴孔;中心电极,以至少包括位于绝缘体的前端的部分的方式配置于轴孔内;及主体金属件,以使绝缘体的前端部从主体金属件自身的前端向前端侧突出的方式固定于绝缘体的外周侧。绝缘体的前端部仅由构成前端部的后端侧的部分的第一部分及与第一部分的前端侧相邻并且具有比第一部分的内径大的内径的第二部分构成。在第二部分的内周面设有与绝缘体的前端连接的倒角部。

    火花塞
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109149373B

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201810681613.4

    申请日:2018-06-27

    Abstract: 本发明提供一种具有能够提高高温环境下的耐电压性能的绝缘体的火花塞。所述火花塞具备由氧化铝基烧结体构成的绝缘体,且绝缘体含有以氧化物换算计为90~98wt%的Al成分。绝缘体含有以氧化物换算计为1~5wt%的Si成分、0.1~1wt%的Mg成分、2wt%以下的Ca成分、0.3~6wt%的Ba成分、0.11~5wt%的稀土成分,在使用电子束的探针直径为1nm的扫描透射型电子显微镜的分析中,在厚度15nm以下的晶界处检测到Si和稀土元素,晶界处的碱土金属低于检测限。

    火花塞
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109149376B

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201810671359.X

    申请日:2018-06-26

    Abstract: 本发明涉及火花塞。本发明提供具有能够提高高温环境下的耐电压性能的绝缘体的火花塞。火花塞具有包含氧化铝基烧结体的绝缘体,绝缘体含有Si、Ba和稀土元素。在使用电子射线的探针直径为1nm的扫描透射型电子显微镜进行的分析中,绝缘体在厚度为15nm以下的晶界处检测出Si和稀土元素,并且晶界处的碱土金属低于检出限,在检测出Ba的部分的电子射线衍射图中存在衍射斑。

    火花塞
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109149373A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201810681613.4

    申请日:2018-06-27

    Abstract: 本发明提供一种具有能够提高高温环境下的耐电压性能的绝缘体的火花塞。所述火花塞具备由氧化铝基烧结体构成的绝缘体,且绝缘体含有以氧化物换算计为90~98wt%的Al成分。绝缘体含有以氧化物换算计为1~5wt%的Si成分、0.1~1wt%的Mg成分、2wt%以下的Ca成分、0.3~6wt%的Ba成分、0.11~5wt%的稀土成分,在使用电子束的探针直径为1nm的扫描透射型电子显微镜的分析中,在厚度15nm以下的晶界处检测到Si和稀土元素,晶界处的碱土金属低于检测限。

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