受光元件以及光回路的遮光构造

    公开(公告)号:CN114008797B

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202080044710.8

    申请日:2020-06-15

    摘要: 本发明的光回路的遮光构造在需要杂散光的对策的受光元件中利用受光元件自身的构造的一部分来抑制杂散光。形成覆盖与光回路(1)中的光波导(3)处于大致相同的高度且构成受光元件的光吸收部的第一半导体层(4)的上表面和侧面的阶梯状电极(8),利用向光回路(1)表层大致垂直地延伸的壁状或柱状的布线电极(9)来遮挡射向受光元件的光吸收部的杂散光(12)。本发明的遮光构造利用受光元件的一部分的构成,与受光元件成为一体地形成,也具有受光元件的发明的方面。具有遮光功能的布线电极(9)也可以被构成为从光回路(1)的表层越过第一半导体层(4)的下表面延伸到基板(2)内部。此外,布线电极(9)也可以从第一层(4)到光回路(1)的表面连续地形成。

    受光元件以及光回路的遮光构造
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114008797A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202080044710.8

    申请日:2020-06-15

    摘要: 本发明的光回路的遮光构造在需要杂散光的对策的受光元件中利用受光元件自身的构造的一部分来抑制杂散光。形成覆盖与光回路(1)中的光波导(3)处于大致相同的高度且构成受光元件的光吸收部的第一半导体层(4)的上表面和侧面的阶梯状电极(8),利用向光回路(1)表层大致垂直地延伸的壁状或柱状的布线电极(9)来遮挡射向受光元件的光吸收部的杂散光(12)。本发明的遮光构造利用受光元件的一部分的构成,与受光元件成为一体地形成,也具有受光元件的发明的方面。具有遮光功能的布线电极(9)也可以被构成为从光回路(1)的表层越过第一半导体层(4)的下表面延伸到基板(2)内部。此外,布线电极(9)也可以从第一层(4)到光回路(1)的表面连续地形成。