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公开(公告)号：CN1129746A
公开(公告)日：1996-08-28
申请号：CN95118325.7
申请日：1995-10-27
CPC classification number: C02F1/4618 , C02F1/444 , C02F9/00 , C02F2001/46133 , C02F2201/4611 , C02F2201/46195 , C02F2209/04 , C02F2209/06 , Y02E60/366
Abstract: 一种电解水制造装置，包括：阳极；阴极；阳极室；阴极室；在阴极室和阴极室之间由一对隔膜分隔开而设置的中间室；向该三室分别供给各自原水的供给管道；排出处理液的排出管道；在由前述阳极室接出的排出管上设有酸添加装置；同时在由前述阴极室接出的排出管上设有碱添加装置，并使所添加的电解质的组成、浓度、添加量、pH值中的至少任意一种参数可控。
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公开(公告)号：CN1130689A
公开(公告)日：1996-09-11
申请号：CN95118294.3
申请日：1995-10-27
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/08 , C02F1/42 , C02F1/44 , C02F1/4618 , C02F9/00 , C02F2103/04 , C02F2201/4611 , C02F2201/46115 , C02F2201/46195 , H01L21/67057 , Y02E60/366
Abstract: 本发明提供了电子元件的清洗方法，其特征是将用清洗液处理的半导体基板、玻璃基板、电子元件及上述这些的制造装置的部件等被清洗物，再用去离子水电解水的阳极水或阴极水进行洗涤处理。
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公开(公告)号：CN1059878C
公开(公告)日：2000-12-27
申请号：CN95118294.3
申请日：1995-10-27
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/08 , C02F1/42 , C02F1/44 , C02F1/4618 , C02F9/00 , C02F2103/04 , C02F2201/4611 , C02F2201/46115 , C02F2201/46195 , H01L21/67057 , Y02E60/366
Abstract: 本发明提供了电子元件的清洗方法，其特征是将用清洗液处理的半导体基板、玻璃基板、电子元件及上述这些的制造装置的部件等被清洗物，再用去离子水电解水的阳极水或阴极水进行洗涤处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1053166C
公开(公告)日：2000-06-07
申请号：CN95118325.7
申请日：1995-10-27
CPC classification number: C02F1/4618 , C02F1/444 , C02F9/00 , C02F2001/46133 , C02F2201/4611 , C02F2201/46195 , C02F2209/04 , C02F2209/06 , Y02E60/366
Abstract: 一种电解水制造装置，包括：阳极；阴极；阳极室；阴极室；在阴极室和阴极室之间由一对隔膜分隔开而设置的中间室；向该三室分别供给各自原水的供给管道；排出处理液的排出管道；在由前述阳极室接出的排出管上设有酸添加装置；同时在由前述阴极室接出的排出管上设有碱添加装置，并使所添加的电解质的组成、浓度、添加量、pH值中的至少任意一种参数可控。
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公开(公告)号：CN1163946C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN97197334.2
申请日：1997-08-19
Applicant: 奥加诺株式会社 , 阿鲁普斯电气株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/08 , B08B3/12
CPC classification number: B08B3/08 , B08B3/12 , C02F1/20 , C02F1/66 , C02F1/70 , C02F2103/04 , C02F2209/23 , H01L21/02052
Abstract: 用清洗溶液来清洗电子元件构件或类似零件，如硅晶片等。清洗溶液是将氢气或臭氧溶进高纯水中制备成具有负的或正的氧化-还原电位。这种清洗溶液对于电子元件具有显著改善的洗净性能。此外，调节清洗溶液的pH值，可对电子元件进行更高效率的清洗。
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公开(公告)号：CN1228197A
公开(公告)日：1999-09-08
申请号：CN97197334.2
申请日：1997-08-19
IPC: H01L21/304 , B08B3/08 , B08B3/12
CPC classification number: B08B3/08 , B08B3/12 , C02F1/20 , C02F1/66 , C02F1/70 , C02F2103/04 , C02F2209/23 , H01L21/02052
Abstract: 用清洗溶液来清洗电子元件构件或类似零件，如硅晶片等。清洗溶液是将氢气或臭氧溶进高纯水中制备成具有负的或正的氧化－还原电位。这种清洗溶液对于电子元件具有显著改善的洗净性能。此外，调节清洗溶液的pH值，可对电子元件进行更高效率的清洗。
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公开(公告)号：CN1299333C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200410002007.3
申请日：1997-08-19
Applicant: 奥加诺株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: B08B3/08 , B08B3/12 , C02F1/20 , C02F1/66 , C02F1/70 , C02F2103/04 , C02F2209/23 , H01L21/02052
Abstract: 用清洗溶液来清洗电子元件构件或类似零件，如硅晶片等。清洗溶液是将氢气或臭氧溶进高纯水中制备成具有负的或正的氧化-还原电位。这种清洗溶液对于电子元件具有显著改善的洗净性能。此外，调节清洗溶液的pH值，可对电子元件进行更高效率的清洗。
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公开(公告)号：CN1536623A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410002007.3
申请日：1997-08-19
Applicant: 奥加诺株式会社 , 阿鲁普斯电气株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: B08B3/08 , B08B3/12 , C02F1/20 , C02F1/66 , C02F1/70 , C02F2103/04 , C02F2209/23 , H01L21/02052
Abstract: 用清洗溶液来清洗电子元件构件或类似零件，如硅晶片等。清洗溶液是将氢气或臭氧溶进高纯水中制备成具有负的或正的氧化－还原电位。这种清洗溶液对于电子元件具有显著改善的洗净性能。此外，调节清洗溶液的pH值，可对电子元件进行更高效率的清洗。
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