接合基板以及接合基板的制造方法

    公开(公告)号:CN114600237A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202080074183.5

    申请日:2020-12-03

    Abstract: 本发明得到一种提高氮化硅陶瓷基板与接合层的密接强度,具有高冷热耐久性但不产生迁移的接合基板。接合基板具备氮化硅陶瓷基板、铜板、接合层以及进入区域。铜板以及接合层被图案形成为给定的形状而配置在氮化硅陶瓷基板的主面上。接合层将铜板与氮化硅陶瓷基板的主面接合。进入区域由从基板主面连续并进入氮化硅陶瓷基板的内部直至3μm以上且20μm以下的深度的一个或多个进入部构成,包含银,在基板主面的每1mm2存在1个以上且30个以下的进入区域。

    接合基板的制造方法、电路基板的制造方法以及电路基板

    公开(公告)号:CN117397373A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202280038868.3

    申请日:2022-03-25

    Abstract: 在通过加压加热接合制作接合基板的情况下,在接合后适当地除去形成于铜板的脱模层。接合基板的制造方法具备:准备工序,准备在陶瓷基板的两主面上层叠钎料层和铜板而成的一个或多个接合对象品;层叠工序,在一个或多个接合对象品与将其夹持的一对夹持构件的各个之间分别设置脱模层并将它们进行层叠;接合工序,通过利用一个夹持构件进行加压的同时对一个或多个接合对象品进行加热,从而得到陶瓷基板和铜板通过接合层接合的一个或多个接合基板;以及除去工序,通过湿式蚀刻使接合基板所具备的铜板的与脱模层接触的部位溶解,从而从该接合基板除去脱模层。

Patent Agency Ranking