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公开(公告)号:CN118724593A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410274641.X
申请日:2024-03-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明提供一种陶瓷体及其制造方法,该陶瓷体由Si含浸SiC构成且导热系数高。本发明的陶瓷体的制造方法具有:成型工序,将以3:7~7:3的质量比含有平均粒径D50为15~50μm的SiC粉末和平均粒径D50为2~8μm的SiC粉末的成型材料成型而得到成型体;以及烧成和含浸工序,进行所述成型体的烧成和金属Si的含浸。