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公开(公告)号:CN119318017A
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202280096767.1
申请日:2022-06-22
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L23/473
Abstract: 半导体装置具备:功率模块;第一框体和第二框体,其通过粘接面彼此相互粘接而形成制冷剂流路;以及密封材料,在所述第一框体或所述第二框体的任意一方的所述粘接面上,具有供所述密封材料涂敷的密封材料涂敷部,在另一方的所述粘接面上,在与所述密封材料涂敷部对应的位置上具有按压所述密封材料的密封材料按压部,在所述第一框体或所述第二框体的任意一方的所述粘接面上,在比所述密封材料涂敷部更接近所述制冷剂流路的位置上,具有抑制所述密封材料向所述制冷剂流路内流入的密封材料流入抑制部。