公开(公告)号：CN101901862A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010192307.8

申请日：2010-05-27

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 饭塚和幸 ,  渡边优洋

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明提供半导体发光元件，能实现提高光取出效率。该半导体发光元件(20)具备IIIA-VA族化合物半导体层(21)的第二主表面侧形成金属反射膜(10)，半导体层(21)与支撑衬底(11)隔着金属反射膜(10)被接合，在半导体层(21)第一主表面上形成表面电极(13)，金属反射膜(10)在表面电极(13)的正下方以外的区域配置有欧姆接触接合部(9)，表面电极(13)具有表面侧接触部以及透明介电体反射部，半导体发光元件(20)的一边为320μm以下，表面电极(13)由多边形或圆形形成，表面电极(13)的外周长度为235μm～700μm，欧姆接触接合部配置于发光元件的外周部侧，欧姆接触接合部(9)以包围表面电极(13)、以从表面电极(13)的外缘部的各位置至最近的欧姆接触接合部(9)的距离相等的方式而配置。

公开(公告)号：CN101989641A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN201010236813.2

申请日：2010-07-23

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 藤本哲尔 ,  饭塚和幸 ,  渡边优洋 ,  秋元克弥

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种发光元件，其发光效率高并且可靠性高。本发明的发光元件(1)具备：具有第1导电型的第1半导体层、与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层、夹入于第1半导体层和第2半导体层的活性层(100)的发光层(10)，设置于发光层(10)的一个表面侧并反射活性层(100)所发出的光的反射层(120)，在反射层(120)的发光层(10)侧的相反侧通过接合层(200)而支撑发光层(10)的支撑衬底(20)，设置于反射层(120)的一部分并将反射层(120)和发光层(10)电连接的欧姆接触部(135)，在发光层(10)的另一个表面侧和发光层(10)的侧面分别形成的凹凸部(140)，覆盖发光层(10)的另一个表面的凹凸部(140)和发光层(10)的侧面的凹凸部(140)的绝缘膜(150)。