公开(公告)号：CN103225026B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201310156897.2

申请日：2010-04-16

申请人： 日立金属株式会社

发明人： 青山正义 ,  鹫见亨 ,  酒井修二 ,  佐藤隆裕 ,  安部英则

IPC分类号： C22C9/00 ,  H01B1/02 ,  H01B5/02 ,  H01B5/08 ,  H01B7/04 ,  H01B13/00

CPC分类号： C22C9/00 ,  B22D21/025 ,  C22F1/08 ,  H01B1/026

摘要： 本发明提供生产率高，导电率、软化温度、表面品质优秀的低铜合金材料及其制造方法。该低铜合金材料，是在包含不可避免的不纯物的纯铜中包含2～12mass ppm的硫、2～30mass ppm的氧和4～55mass ppm的Ti的低铜合金材料。