公开(公告)号：CN119505886A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411614159.2

申请日：2024-11-13

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 徐旭辉 ,  张梓怡 ,  李卓为 ,  田旭 ,  牟德单 ,  王东鹏

IPC: C09K11/64 ,  H10H20/851

Abstract: 本发明涉及一种Ni2+掺杂的宽带短波近红外荧光粉及其制备方法与应用，属于荧光材料技术领域。本发明Ni2+掺杂的宽带短波近红外荧光粉的化学通式为：LiMg2Al9O16:xNi2+，其中0.01≤x≤0.05；所述荧光粉基质具有尖晶石结构，所述荧光粉在波长为250～750nm可见光激发下，发射峰值位于900～1600nm的短波近红外光，发射光谱的半峰宽为200～250nm。由于LiMg2Al9O16的尖晶石结构中含有约3％的Mg′Al和Al·Mg反位缺陷，形成[Mg‑O]6和[Al‑O]6两个八面体格位，在370nm激发下可产生中心波长为1180nm，半峰宽为210nm的超宽带Ni2+近红外发射。该荧光粉具有合成简便、热稳定性好、所需能耗低等优点，可解决现有技术稳定性差，合成条件复杂的问题。