公开(公告)号：CN116344750A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310214245.3

申请日：2023-03-08

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 高鹏 ,  黄民权 ,  李才巨 ,  易健宏

IPC: H01M4/1395 ,  H01M4/04 ,  H01M4/62 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0525 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16

Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池硅碳薄膜负极材料及其制备方法，属于锂离子电池负极材料制备领域。本发明通过调控粗糙集流体微观表面状态，集流体粗糙度Ra为200nm～1500nm；在室温下真空环境中采用磁控溅射技术，以高纯石墨靶和高纯本征硅靶为溅射源，在微观表面形貌为树状、山丘、线状特征的粗糙集流体上制备出3～9层硅碳交替堆垛结构，碳薄膜作为第一层溅射在集流体上；本发明制备的锂离子电池硅碳薄膜负极材料，硅层和碳层为非晶结构，与集流体之间有良好的结合力，较高的充电比容量，良好的循环性能；本发明操作简单，在锂离子电池负极材料领域具有广泛的应用前景。