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公开(公告)号：CN101828276A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200880112206.6
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种III族氮化物半导体发光元件，其具有基板(1)和设置于该基板的表面上的具有由III族氮化物半导体形成的势垒层(11b、12b)和由含铟的III族氮化物半导体形成的阱层(11a、12a)的多量子阱结构的发光层(10)，其中，该发光层是将多个重层部(11、12)层叠而构成的，所述重层部(11、12)是具有1个由阱层和势垒层构成的单元重层部分(11m)而构成的，或者是使2个以上的该单元重层部分(12m)层叠而构成的，在重层部(12)的单元重层部分(12m)为2个以上的情况下，其阱层彼此以及势垒层彼此的层厚和组成分别相同，重层部(11、12)彼此的单元重层部分的势垒层(11b、12b)的层厚相互不同，由此采用单独构成的唯一的发光层，能够在简单的构成下简便地射出多波长光。
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公开(公告)号：CN101809763A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108858.2
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件，具有基板(1)和在该基板的表面上设置的具有由含有镓的Ⅲ族氮化物半导体材料形成的势垒层(5a)和阱层(5b)的多量子阱结构的发光层(5)，其中，形成所述多量子阱结构的各阱层由添加有受主杂质且层厚相互不同的呈与势垒层相同的传导类型的Ⅲ族氮化物半导体层构成，不需要进行荧光体的微妙的组成调整等，能够以简单的结构简易地形成光度高且现色性也高的Ⅲ族氮化物半导体白色系发光元件。
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公开(公告)号：CN101828276B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200880112206.6
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种III族氮化物半导体发光元件，其具有基板(1)和设置于该基板的表面上的具有由III族氮化物半导体形成的势垒层(11b、12b)和由含铟的III族氮化物半导体形成的阱层(11a、12a)的多量子阱结构的发光层(10)，其中，该发光层是将多个重层部(11、12)层叠而构成的，所述重层部(11、12)是具有1个由阱层和势垒层构成的单元重层部分(11m)而构成的，或者是使2个以上的该单元重层部分(12m)层叠而构成的，在重层部(12)的单元重层部分(12m)为2个以上的情况下，其阱层彼此以及势垒层彼此的层厚和组成分别相同，重层部(11、12)彼此的单元重层部分的势垒层(11b、12b)的层厚相互不同，由此采用单独构成的唯一的发光层，能够在简单的构成下简便地射出多波长光。
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公开(公告)号：CN101809763B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880108858.2
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种III族氮化物半导体发光元件，具有基板(1)和在该基板的表面上设置的具有由含有镓的III族氮化物半导体材料形成的势垒层(5a)和阱层(5b)的多量子阱结构的发光层(5)，其中，形成所述多量子阱结构的各阱层由添加有受主杂质且层厚相互不同的呈与势垒层相同的传导类型的III族氮化物半导体层构成，不需要进行荧光体的微妙的组成调整等，能够以简单的结构简易地形成光度高且现色性也高的III族氮化物半导体白色系发光元件。
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