公开(公告)号：CN104838478A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380064310.3

申请日：2013-11-27

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 佐佐木有三 ,  铃木贤二

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02019 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明的SiC基板的制造方法，至少具备：氧化膜形成工序，该工序以覆盖SiC基板(1)的表面(1a)的方式形成氧化膜(10)；和平坦化工序，该工序通过采用CMP法从氧化膜(10)侧对SiC基板(1)实施研磨来除去该氧化膜(10)，并且，通过研磨SiC基板(1)的表面(1a)来将该表面(1a)平坦化。

公开(公告)号：CN104838478B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201380064310.3

申请日：2013-11-27

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 佐佐木有三 ,  铃木贤二

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02019 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明的SiC基板的制造方法，至少具备：氧化膜形成工序，该工序以覆盖SiC基板(1)的表面(1a)的方式形成氧化膜(10)；和平坦化工序，该工序通过采用CMP法从氧化膜(10)侧对SiC基板(1)实施研磨来除去该氧化膜(10)，并且，通过研磨SiC基板(1)的表面(1a)来将该表面(1a)平坦化。