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公开(公告)号:CN119977522A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202510246711.5
申请日:2025-03-04
Applicant: 景德镇陶瓷大学
Abstract: 本发明公开了一种高透光低高温形变长石质瓷及其制备方法,通过微观优化瓷坯中莫来石晶相含量与玻璃相折射率,并通过宏观表层高折射率涂层,高温下在陶瓷坯体表面形成紧凑约束的高粘度熔体阻力,从而显著提高长石质瓷的透光性和高温抗塑性变形能力。本发明采用微‑宏观双重抗变形技术及双透光补偿技术,解决了陶瓷材料透光性能与高温抗变形性能不可兼备的矛盾性,能够获得透光度大于55%、塑性形变指数小于2.8×10‑6mm‑1的高透光低变形的长石质瓷;所用原料无毒无污染,对环境友好,工艺简单易行,易于工业化应用和推广。
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公开(公告)号:CN119874363A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202510049992.5
申请日:2025-01-13
Applicant: 景德镇陶瓷大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88 , H10N30/853 , H10N30/097
Abstract: 本发明公开了一种Ba/Sm/Ce/Fe/Sb/Mn/Mo掺杂型Bi3TiNbO9高温压电陶瓷材料及其制备方法,针对Bi3TiNbO9陶瓷材料A位的Bi3+离子,采用Ba2+、Sm3+、Ce4+组成的复合高价离子[Ba0.1Sm0.3Ce0.6]3.5+进行掺杂取代,针对B位的Fe2+、Sb5+、Mn4+、Mo6+组成复合高价离子[Fe0.25Sb0.75]4.25+、[Mn0.35Mo0.65]5.3+进行掺杂取代,通过上述复合掺杂改性,在保持高居里温度的同时,提高其压电性能和高温电阻率,从而提供了一种新型的、综合电性能优良的、环境友好型压电陶瓷材料,该材料具有良好的高温稳定性,在高温领域具有广阔的应用前景。本发明制备方法采用先进的陶瓷制备工艺,烧成温度低,制备成本低,工艺简单易操作,影响因素易控制,适合于大批量工业化生产,有助于推广和应用。
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公开(公告)号:CN119874360A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202510049312.X
申请日:2025-01-13
Applicant: 景德镇陶瓷大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88 , H10N30/853 , H10N30/097
Abstract: 本发明公开了一种La/Nd/Ce/Ga/V/Sn/W掺杂型Bi3TiNbO9高温压电陶瓷材料及其制备方法,针对Bi3TiNbO9陶瓷材料A位的Bi3+离子,采用La3+、Nd3+、Ce4+组成的复合高价离子[La0.2Nd0.4Ce0.4]3.4+进行掺杂取代,针对B位的Ti4+、Nb5+离子,采用Ga3+、V5+、Sn4+、W6+组成复合高价离子[Ga0.3V0.7]4.4+、[Sn0.35W0.65]5.3+进行掺杂取代,通过上述复合掺杂改性,在保持高居里温度的同时,提高其压电性能和高温电阻率,从而提供了一种新型的、综合电性能优良的、环境友好型压电陶瓷材料,该材料具有良好的高温稳定性,在高温领域具有广阔的应用前景。本发明制备方法采用先进的陶瓷制备工艺,烧成温度低,制备成本低,工艺简单易操作,影响因素易控制,适合于大批量工业化生产,有助于推广和应用。
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公开(公告)号:CN119874362A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202510049777.5
申请日:2025-01-13
Applicant: 景德镇陶瓷大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88 , H10N30/853 , H10N30/097
Abstract: 本发明公开了一种Cd/Y/Ce/Ni/V/Mn/W掺杂型Bi3TiNbO9高温压电陶瓷材料及其制备方法,针对Bi3TiNbO9陶瓷材料A位的Bi3+离子,采用Cd2+、Y3+、Ce4+组成的复合高价离子[Cd0.1Y0.3Ce0.6]3.5+进行掺杂取代,针对B位的Ti4+、Nb5+离子,采用Ni2+、V5+、Mn4+、W6+组成复合高价离子[Ni0.2V0.8]4.4+、[Mn0.3W0.7]5.4+进行掺杂取代,通过上述复合掺杂改性,在保持高居里温度的同时,提高其压电性能和高温电阻率,从而提供了一种新型的、综合电性能优良的、环境友好型压电陶瓷材料,该材料具有良好的高温稳定性,在高温领域具有广阔的应用前景。本发明制备方法采用先进的陶瓷制备工艺,烧成温度低,制备成本低,工艺简单易操作,影响因素易控制,适合于大批量工业化生产,有助于推广和应用。
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公开(公告)号:CN119874361A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202510049488.5
申请日:2025-01-13
Applicant: 景德镇陶瓷大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88 , H10N30/853 , H10N30/097
Abstract: 本发明公开了一种Y/La/Ce/Cr/Ta/Zr/W掺杂型Bi3TiNbO9高温压电陶瓷材料及其制备方法,针对Bi3TiNbO9陶瓷材料A位的Bi3+离子,采用Y3+、La3+、Ce4+组成的复合高价离子[Y0.2La0.3Ce0.5]3.5+进行掺杂取代,针对B位的Ti4+、Nb5+离子,采用Cr3+、Ta5+、Zr4+、W6+组成复合高价离子[Cr0.3Ta0.7]4.4+、[Zr0.35W0.65]5.3+进行掺杂取代,通过上述复合掺杂改性,在保持高居里温度的同时,提高其压电性能和高温电阻率,从而提供了一种新型的、综合电性能优良的、环境友好型压电陶瓷材料,该材料具有良好的高温稳定性,在高温领域具有广阔的应用前景。本发明制备方法采用先进的陶瓷制备工艺,烧成温度低,制备成本低,工艺简单易操作,影响因素易控制,适合于大批量工业化生产,有助于推广和应用。
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