太阳能电池及其制备方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN119069548A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202411087794.X

    申请日:2024-08-08

    Abstract: 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件,至少可以提高电池效率。太阳能电池包括基底;掺杂有掺杂元素的发射极;位于发射极表面的钝化结构,钝化结构包括:位于发射极表面的第一氧化硅层;第二氧化硅层,第二氧化硅位于第一氧化硅层表面,第二氧化硅层内掺杂有掺杂元素,且掺杂元素的掺杂质量比为1%~50%;第一掺杂元素氧化层,第一掺杂元素氧化层位于第二氧化硅层表面,第一掺杂元素氧化层内掺杂有硅元素,且硅元素的掺杂质量比为1%~50%;其中,第一掺杂元素氧化层为掺杂元素的氧化层;第二掺杂元素氧化层,第二掺杂元素氧化层位于第一掺杂元素氧化层的表面;第一电极,第一电极位于钝化结构上,且与发射极电连接。

    光伏电池及其制备方法、叠层电池

    公开(公告)号:CN119277834A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411354967.X

    申请日:2024-09-25

    Abstract: 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种光伏电池及其制备方法、叠层电池,制备方法包括:提供初始光伏电池,其第一表面包括第一激光区和第一非激光区且第二表面包括第二激光区和第二非激光区;依次覆盖第一表面的第一掺杂膜、第一功能膜、第二掺杂膜和第二功能膜,依次覆盖第二表面的隧穿膜、钝化膜和第三功能膜;同时在第一和第二表面采用激光处理工艺,至少使第二功能膜中位于第一激光区的部分转变为第一激光部,第三功能膜中位于第二激光区的部分转变为第二激光部;采用刻蚀工艺,去除第二功能膜、第二掺杂膜、第一功能膜、第三功能膜、位于第一激光区的第一掺杂膜和位于第二激光区的钝化膜和隧穿膜,至少有利于简化制备光伏电池的工艺步骤。

    太阳能电池及其制备方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN118398687A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410533463.8

    申请日:2024-04-29

    Abstract: 本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括前表面、后表面和至少一个的侧表面,所述前表面和所述后表面相对设置,所述侧表面设置在所述前表面和后表面之间;位于所述半导体衬底前表面内部或上方的第一扩散层;位于所述半导体衬底后表面内部或上方的第二扩散层,所述第一扩散层和所述第二扩散层的导电类型相反;位于至少一个所述侧表面上的第三扩散层和第四扩散层,所述第三扩散层和所述第四扩散层的导电类型相反,所述第三扩散层和所述第四扩散层至少部分重叠;与所述第一扩散层形成欧姆接触的第一电极;及与所述第二扩散层形成欧姆接触的第二电极。

    太阳能电池及其制备方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN118431315A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410532841.0

    申请日:2024-04-29

    Abstract: 本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池包括:半导体衬底,半导体衬底包括前表面、后表面和至少一个的侧表面,前表面和后表面相对设置,侧表面设置在前表面和后表面之间;位于半导体衬底前表面内部或上方的第一扩散层;位于半导体衬底后表面内部或上方的第二扩散层,第一扩散层和第二扩散层的导电类型相反;位于至少一个侧表面上的第三扩散层和第四扩散层,第三扩散层和第四扩散层的导电类型相反,第三扩散层和第四扩散层沿第一方向设置,且第三扩散层和第四扩散层相接触,第一方向平行于半导体衬底厚度方向;与第一扩散层形成欧姆接触的第一电极;及与第二扩散层形成欧姆接触的第二电极。

    太阳能电池及其制作方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN118173627A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410508512.2

    申请日:2024-04-25

    Abstract: 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池及其制作方法以及光伏组件,其中,太阳能电池包括:衬底;掺杂导电层,掺杂导电层位于衬底的表面内或表面上;钝化层,钝化层位于掺杂导电层的表面;多个第一子电极,每个第一子电极至少部分贯穿钝化层与掺杂导电层接触,第一子电极沿第一方向及第二方向间隔排布;多个第二子电极,每个第二子电极沿第二方向延伸,且与沿第二方向排布的多个第一子电极接触连接,第二子电极包括:第一金属颗粒,至少部分第一金属颗粒与第一子电极电接触,第二金属颗粒,至少部分第二金属颗粒与第一子电极电接触,第一金属颗粒的材料与第二金属颗粒的材料不同,第一子电极与第二子电极构成第一电极。可以降低隧穿层的损伤提高太阳能电池的效率。

    光伏电池及其制备方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119486378A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411629203.7

    申请日:2024-11-14

    Abstract: 本申请涉及光伏技术领域,尤其涉及光伏电池及其制备方法,其中,光伏电池包括具有相对设置的第一表面及第二表面的单晶硅衬底,以及沿依次设置于第一表面的第一掺杂半导体层、第一钝化层和第一电极;第一表面形成有绒面,绒面具有若干个第一金字塔结构,第一金字塔结构包括塔身和塔尖,其中,塔尖为与单晶硅衬底不同晶体结构的含硅材料,第一电极的与第一金字塔结构相对应的部位与第一掺杂半导体层形成电接触。本申请技术方案中,由于第一金字塔结构的塔尖的材料为与单晶硅衬底不同晶体结构的含硅材料,使得第一电极与第一金字塔结构的塔尖表面的第一掺杂半导体层区域所形成的接触点位数增多,第一电极与第一掺杂半导体层的金属接触复合得以减小。

    光伏电池制备方法和光伏电池
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119208436A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202410993631.1

    申请日:2024-07-23

    Abstract: 本发明公开光伏电池制备方法和光伏电池,该光伏电池制备方法包括以下步骤:提供双面均为减反射膜的硅基底;对硅基底的至少一面进行金属化处理,得到光伏电池;其中,对硅基底的至少一面进行金属化处理包括:提供基板,基板上开设有凹槽、感光膜层和/或掩膜层;在凹槽内填充混合浆料,混合浆料包括导电浆料和感光剂;或者,在凹槽内先后填充感光剂和导电浆料;将基板与硅基底对齐,激光照射凹槽远离硅基底一侧,使得导电浆料在硅基底上生成栅线,得到光伏电池。本发明优化了导电浆料与基板之间的界面特性、使得激光转印的能量窗口更容易控制和调节,提高了激光转印的效率和质量。

    太阳能电池及光伏组件
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118398694A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410533641.7

    申请日:2024-04-29

    Abstract: 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池,太阳能电池包括:基底,基底具有第一表面、侧面以及第二表面;第一掺杂半导体层,第一掺杂半导体层位于第一表面上;第二掺杂半导体层,第二掺杂半导体层位于第二表面上;第一掺杂半导体层内的第一掺杂元素与第二掺杂半导体层内的第二掺杂元素的导电类型不同;钝化层,钝化层位于第一掺杂半导体层表面、第二掺杂半导体层表面以及侧面;至少一个导电结构,导电结构位于侧面上,导电结构其中一端延伸至第一表面并与第一掺杂半导体层电接触,导电结构的另一端延伸至第二表面并与第二掺杂半导体层电接触;第一电极以及第二电极,第一电极与第一掺杂半导体层电接触;第二电极与第二掺杂半导体层电接触。

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