公开(公告)号：CN111969196B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202010780626.4

申请日：2020-08-05

Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司

Inventor： 王星明 ,  王宁 ,  杨娟玉 ,  刘宇阳 ,  桂涛 ,  白雪 ,  王武育 ,  储茂友 ,  韩沧 ,  段华英

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  C23C16/40 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米片状氧化亚硅及其复合负极材料。该纳米片状氧化亚硅的化学式为SiOx，其中0.9＜x＜1.1；并且具有纳米片状颗粒形貌；其由激光粒度仪测试的中位粒径(D50)为100‑1000nm，由氮吸附测试的比表面积为50‑150m2/g。该纳米片状氧化亚硅颗粒平面方向的平均直径为100‑1000nm，厚度为10‑50nm，且所述颗粒平面方向的平均直径与颗粒厚度的比值大于5。所述复合负极材料包含所述纳米片状氧化亚硅及添加剂，其中纳米片状氧化亚硅在复合负极材料中的质量分数为5‑50％。本发明的纳米片状氧化亚硅具有电子、离子传输距离短的优势，在电极充放电过程中能够保持导电结构稳定。基于该纳米片状氧化亚硅的复合负极材料，可以减少导电组分的用量，在提高导电性和改善循环性能的同时保持高容量。

公开(公告)号：CN111969196A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010780626.4

申请日：2020-08-05

Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司

Inventor： 王星明 ,  王宁 ,  杨娟玉 ,  刘宇阳 ,  桂涛 ,  白雪 ,  王武育 ,  储茂友 ,  韩沧 ,  段华英

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  C23C16/40 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米片状氧化亚硅及其复合负极材料。该纳米片状氧化亚硅的化学式为SiOx，其中0.9＜x＜1.1；并且具有纳米片状颗粒形貌；其由激光粒度仪测试的中位粒径(D50)为100-1000nm，由氮吸附测试的比表面积为50-150m2/g。该纳米片状氧化亚硅颗粒平面方向的平均直径为100-1000nm，厚度为10-50nm，且所述颗粒平面方向的平均直径与颗粒厚度的比值大于5。所述复合负极材料包含所述纳米片状氧化亚硅及添加剂，其中纳米片状氧化亚硅在复合负极材料中的质量分数为5-50％。本发明的纳米片状氧化亚硅具有电子、离子传输距离短的优势，在电极充放电过程中能够保持导电结构稳定。基于该纳米片状氧化亚硅的复合负极材料，可以减少导电组分的用量，在提高导电性和改善循环性能的同时保持高容量。