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公开(公告)号：CN118808260A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410858001.3
申请日：2024-06-28
申请人： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
发明人： 陈坚
摘要： 本发明涉及一种防止时间依赖性雾产生的方法，所属硅片加工技术领域，第一步：对FOSB片盒进行清洗并且甩干，接着FOSB片盒正向旋转，转速155Rpm，旋转135秒，同时进行氮气吹扫，氮气流量为80Lpm，然后FOSB片盒进行红外干燥，再次红外加热。第二步：FOSB片盒逆向旋转甩干，同时吹扫氮气，氮气流量为80Lpm，接着红外干燥，FOSB片盒逆向旋转，同时吹扫氮气，氮气流量为80Lpm。第三步：对FOSB片盒进行干燥，先进行第一次低速泵抽真空，接着进行第一次高速泵抽真空同时进行氮气清除，然后进行第一次排气。第四步：反复进行8次高速泵抽真空同时进行氮气清除，然后反复进行7次排气。第五步：得到干燥后的FOSB片盒。提升了硅片颗粒水平，达到了保证硅片品质的效果。
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公开(公告)号：CN117727680A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311564807.3
申请日：2023-11-22
申请人： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
发明人： 陈坚
IPC分类号： H01L21/687 , B08B3/02 , B08B11/02 , H01L21/67 , H05F3/00
摘要： 本发明公开了分类机机械臂污染硅片表面颗粒的静电消散装置及方法，包括支撑座，所述支撑座的顶部左侧固定设置有工作筒，所述工作筒的内腔底部固定设置有用于盛放废液的集液盒，所述工作筒的内腔顶部中间转动设置有承载轴，本发明涉及静电消散技术领域。该分类机机械臂污染硅片表面颗粒的静电消散装置及方法，通过衔接圆盘、汇通口、第一连管以及第二连管之间的相互配合，能使不同的空腔与第二支管相连通，进而控制SC溶液从不同位置喷洒下来，根据硅片上的颗粒发散位置，灵活调节喷洒范围，避免喷头机构大范围喷洒造成SC溶液浪费，通过第一支管、环形腔以及喷液口之间的相互配合，便于清洁去除硅片侧边上的静电颗粒。
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公开(公告)号：CN115502159B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211018423.7
申请日：2022-08-24
申请人： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
发明人： 陈坚
摘要： 本发明涉及一种运用于12英寸回收片盒的清洗工艺，所属回收片盒清洗技术领域，包括如下操作步骤：第一步：纯水喷淋预清洗去除表面脏污。第二步：超音波浸泡清洗，便于更好的去除回收片盒上的脏污。第三步：进行最终喷淋清洗，片盒盒盖向下，底部出水口想片盒内室喷淋超纯水。第四步：连续进行若干次烘干处理，对片盒进行干燥。第五步：真空干燥，通过真空的方式去除片盒内部残留的水汽。第六步：片盒从真空干燥腔结束以后，进入缓冲静置区，FFU由上往下吹扫，对片盒起到冷却降温的处理。第七步：缓冲静置结束后，取下片盒的盒体与盒盖，在离子棒正下方区域进行组装。实现对回收片盒进行比较彻底的清洗与干燥，保证片盒内部无湿气残留。
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公开(公告)号：CN115502159A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211018423.7
申请日：2022-08-24
申请人： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
发明人： 陈坚
摘要： 本发明涉及一种运用于12英寸回收片盒的清洗工艺，所属回收片盒清洗技术领域，包括如下操作步骤：第一步：纯水喷淋预清洗去除表面脏污。第二步：超音波浸泡清洗，便于更好的去除回收片盒上的脏污。第三步：进行最终喷淋清洗，片盒盒盖向下，底部出水口想片盒内室喷淋超纯水。第四步：连续进行若干次烘干处理，对片盒进行干燥。第五步：真空干燥，通过真空的方式去除片盒内部残留的水汽。第六步：片盒从真空干燥腔结束以后，进入缓冲静置区，FFU由上往下吹扫，对片盒起到冷却降温的处理。第七步：缓冲静置结束后，取下片盒的盒体与盒盖，在离子棒正下方区域进行组装。实现对回收片盒进行比较彻底的清洗与干燥，保证片盒内部无湿气残留。
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