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公开(公告)号：CN112796168A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110152895.0
申请日：2021-02-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超疏水滤纸的制备方法，包括：S1，用去离子水稀释Tris‑HCl分离胶配胶缓冲液，形成pH=8.5的缓冲溶液，取盐酸多巴胺在缓冲溶液中溶解；S2，将滤纸浸入盐酸多巴胺的缓冲液中，在滤纸上沉积自聚合的聚多巴胺；S3，取出滤纸用去离子水冲洗，并烘干；S4，同S1制备的缓冲溶液，放入TiO2纳米颗粒，获得均一的TiO2纳米颗粒悬浮液；S5，将沉积有聚多巴胺的滤纸，浸入TiO2纳米颗粒悬浮液中；S6，取出滤纸用去离子水冲洗，并烘干；S7，将烘干的滤纸浸入1H,1H,2H,2H‑全氟癸基三氯硅烷正己烷溶液中，进行低表面能改性；S8，对低表面能改性后的滤纸进行干燥，得到超疏水纸。
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公开(公告)号：CN111181485A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010107340.X
申请日：2020-02-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02S40/12 , C09D183/04
Abstract: 本发明公开了一种降低硅片表面冰黏附强度的方法，包括如下步骤：步骤S10，在硅材料表面制备微孔,所述微孔，高度为1.1微米；步骤S20，在带微孔的所述硅材料表面覆盖PDMS膜，所述PDMS膜黏贴在带微孔的所述硅材料表面之前，先利用氧等离子体清洁带微孔的硅材料表面；步骤S30，将所述PDMS膜固化在所述硅材料表面；所述步骤S10，在硅材料表面制备微孔的方法，包括如下步骤：步骤S101，在硅材料表面旋涂光刻胶；步骤S102，曝光需制备微孔区域的所述光刻胶；步骤S103，对曝光区域进行刻蚀。
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公开(公告)号：CN112796168B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110152895.0
申请日：2021-02-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超疏水滤纸的制备方法，包括：S1，用去离子水稀释Tris‑HCl分离胶配胶缓冲液，形成pH=8.5的缓冲溶液，取盐酸多巴胺在缓冲溶液中溶解；S2，将滤纸浸入盐酸多巴胺的缓冲液中，在滤纸上沉积自聚合的聚多巴胺；S3，取出滤纸用去离子水冲洗，并烘干；S4，同S1制备的缓冲溶液，放入TiO2纳米颗粒，获得均一的TiO2纳米颗粒悬浮液；S5，将沉积有聚多巴胺的滤纸，浸入TiO2纳米颗粒悬浮液中；S6，取出滤纸用去离子水冲洗，并烘干；S7，将烘干的滤纸浸入1H,1H,2H,2H‑全氟癸基三氯硅烷正己烷溶液中，进行低表面能改性；S8，对低表面能改性后的滤纸进行干燥，得到超疏水纸。
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公开(公告)号：CN111181485B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010107340.X
申请日：2020-02-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02S40/12 , C09D183/04
Abstract: 本发明公开了一种降低硅片表面冰黏附强度的方法，包括如下步骤：步骤S10，在硅材料表面制备微孔,所述微孔，高度为1.1微米；步骤S20，在带微孔的所述硅材料表面覆盖PDMS膜，所述PDMS膜黏贴在带微孔的所述硅材料表面之前，先利用氧等离子体清洁带微孔的硅材料表面；步骤S30，将所述PDMS膜固化在所述硅材料表面；所述步骤S10，在硅材料表面制备微孔的方法，包括如下步骤：步骤S101，在硅材料表面旋涂光刻胶；步骤S102，曝光需制备微孔区域的所述光刻胶；步骤S103，对曝光区域进行刻蚀。
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