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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120074963A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510544052.3
申请日：2025-04-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于切比雪夫映射的身份认证方法，该方法首先根据硬件参数和配置信息生成所需的系统参数和密钥参数，在安全信道中获得认证参数，包括终端设备登陆验证参数和认证中心验证参数；认证参数由系统参数和密钥参数对设备的身份参数计算得到。其次终端设备进行自认证检查，利用切比雪夫映射的半群性质，终端设备向认证中心发起身份认证，最后双方对接收到的会话随机数进行验证，通过后生成协商密钥。最后终端设备和认证中心利用密钥进行安全的数据通信，使用对称加解密的算法对数据进行加密传输。本发明保证了身份信息的安全性，减少通信次数优化通信开销，生成密钥的速度更快，所需的计算资源更小。
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公开(公告)号：CN113046707B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110178544.7
申请日：2021-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米花阵列结构的制备方法及其应用，涉及纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）通过自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；（3）将六方密排聚苯乙烯微球阵列结构进行刻蚀制备得到溅射衬底；（4）在溅射衬底表面进行倾斜、旋转磁控溅射本发明制备得到的纳米花阵列结构由于具备顶端及侧缘尖锐的花瓣结构，该花瓣结构提供了丰富的热点，且花瓣之间距离较小，有利于获得极大的局域耦合场，因此纳米花阵列结构SERS活性高。
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公开(公告)号：CN113046707A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110178544.7
申请日：2021-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米花阵列结构的制备方法及其应用，涉及纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）通过自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；（3）将六方密排聚苯乙烯微球阵列结构进行刻蚀制备得到溅射衬底；（4）在溅射衬底表面进行倾斜、旋转磁控溅射本发明制备得到的纳米花阵列结构由于具备顶端及侧缘尖锐的花瓣结构，该花瓣结构提供了丰富的热点，且花瓣之间距离较小，有利于获得极大的局域耦合场，因此纳米花阵列结构SERS活性高。
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公开(公告)号：CN113044805A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110181359.3
申请日：2021-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法及其应用，涉及周期性纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）制备六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；（3）制备得到溅射衬底；（4）在溅射衬底表面进行磁控溅射，溅射方向为六方密排聚苯乙烯微球阵列结构的长对称轴方向和短对称轴方向，且与溅射衬底法线方向夹角为65‑75°；本发明通过角度调控掩蔽的方法制备得到了具有特定形状的有序纳米阵列结构，方法简单高效，对溅射材料化学性能无依赖，同时制备得到的有序纳米阵列结构SERS灵敏度高。
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公开(公告)号：CN113044805B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110181359.3
申请日：2021-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法及其应用，涉及周期性纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）制备六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；（3）制备得到溅射衬底；（4）在溅射衬底表面进行磁控溅射，溅射方向为六方密排聚苯乙烯微球阵列结构的长对称轴方向和短对称轴方向，且与溅射衬底法线方向夹角为65‑75°；本发明通过角度调控掩蔽的方法制备得到了具有特定形状的有序纳米阵列结构，方法简单高效，对溅射材料化学性能无依赖，同时制备得到的有序纳米阵列结构SERS灵敏度高。
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