-
公开(公告)号：CN111725978B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010624746.5
申请日：2020-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种具有负压关断和串扰抑制功能的SiC MOSFET栅极驱动电路，第一稳压管与第一电容并联后的负极与前级的功率推挽电路T1、T2输出端连接，第一电容与第一稳压管的正极与第一二极管的负极、第二二极管的正极、第二电阻的前端连接，第二二极管的负极通过第二电容、第三电阻的并联电路与接地端、第三电容与第四电阻的后端连接，第一二极管的正极与第一电阻的前端连接，第一mos管的栅极通过第四电阻与接地端连接，第一mos管的漏极通过第三电容与接地端连接，第一电阻的后端、第二电阻的后端、第一mos管的源极与SiC MOSFET的栅极连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115395783A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211083387.2
申请日：2022-09-06
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域，公开了一种具有动态供电功能的包络线跟踪电源，包括开关环节电路、线性环节电路、数字控制器、模拟控制器、负载、跟踪信号；开关环节电路的控制信号由数字控制器的输出端给出，线性环节电路的控制信号由模拟控制器的输出端给出，模拟控制器的参考信号直接由跟踪信号输出端给出，数字控制器的参考信号由跟踪信号同步采样得到，开关环节电路的输出电流在电流控制环路的控制下，实现对包络线的快速跟踪。本发明改善了开关环节电路和线性环节电路在跟踪放大过程中的延时问题，提高了整个电源的跟踪精度和效率；利于集成；在给线性功放等后级负载供电时，降低了供电过程中的能量损耗，提高了线性功放的效率。
-
公开(公告)号：CN111555596A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010345988.0
申请日：2020-04-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路，第一电容与第一稳压管并联后的前端与前级的图腾柱信号放大电路T1，T2输出端连接，第一电容与第一稳压管的后端与第一二极管的正极、第二电阻、第三电阻的前端和第一n-mos管的源极连接，第一二极管的负极通过第二电容、第一电阻的并联电路与接地端、第四电阻的后端连接，第二电阻的后端与第二二极管的负极连接，第一n-mos管的漏极与第二n-mos管的漏极连接，第一n-mos管和第二n-mos管的栅极通过第四电阻与接地端连接，第二二极管的正极、第三电阻的后端、第二n-mos管的源极与第五电阻的前端、SiC MOSFET的栅极连接，第五电阻的后端与接地端连接。
-
公开(公告)号：CN110647906A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910711605.4
申请日：2019-08-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Faster R-CNN方法的服饰目标检测方法。本发明步骤如下：步骤1、数据集准备；步骤2、构造Faster R-CNN算法框架；步骤3、用K-Means聚类算法对包围盒尺寸重新设；步骤4、用训练集A训练该服饰检测模型；步骤5、用余下测试集测试模型性能。本发明加快了检索速度。本发明引入了K-Means聚类算法，让区域框与实际服饰的尺寸大小更为相近，提高速度的同时，对识别的精读也有一定的提高。
-
公开(公告)号：CN111555596B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202010345988.0
申请日：2020-04-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路，第一电容与第一稳压管并联后的前端与前级的图腾柱信号放大电路T1，T2输出端连接，第一电容与第一稳压管的后端与第一二极管的正极、第二电阻、第三电阻的前端和第一n‑mos管的源极连接，第一二极管的负极通过第二电容、第一电阻的并联电路与接地端、第四电阻的后端连接，第二电阻的后端与第二二极管的负极连接，第一n‑mos管的漏极与第二n‑mos管的漏极连接，第一n‑mos管和第二n‑mos管的栅极通过第四电阻与接地端连接，第二二极管的正极、第三电阻的后端、第二n‑mos管的源极与第五电阻的前端、SiC MOSFET的栅极连接，第五电阻的后端与接地端连接。
-
公开(公告)号：CN111725978A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010624746.5
申请日：2020-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种具有负压关断和串扰抑制功能的SiC MOSFET栅极驱动电路，第一稳压管与第一电容并联后的前端与前级的功率推挽电路T1、T2输出端连接，第一电容与第一稳压管的后端与第一二极管的负极、第二二极管的正极、第二电阻的前端连接，第二二极管的负极通过第二电容、第三电阻的并联电路与接地端、第三电容与第四电阻的后端连接，第一二极管的正极与第一电阻的前端连接，第一mos管的栅极通过第四电阻与接地端连接，第一mos管的漏极通过第三电容与接地端连接，第一电阻的后端、第二电阻的后端、第一mos管的源极与SiC MOSFET的栅极连接。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.031 seconds)
