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公开(公告)号：CN112816096B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110249407.8
申请日：2021-03-08
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G01K11/32
摘要： 本发明属于传感技术领域中的光纤温度传感器，具体涉及一种基于游标效应的级联干涉仪光纤温度传感器，包括泵浦源、波分复用器、掺铒光纤、光隔离器、光纤Sagnac干涉仪、M‑Z干涉仪和光谱仪；泵浦源输出的泵浦光经波分复用器后输入掺铒光纤，经掺铒光纤放大后成为宽谱光源，宽谱光源经过光隔离器再依次通过光纤Sagnac干涉仪和M‑Z干涉仪，经两次滤波后形成带有包络的激光信号，光谱仪显示输出的光谱。本发明采用掺铒光纤作为增益介质，光隔离器确保光的传输方向，光纤Sagnac干涉仪用于滤波和传感，M‑Z干涉仪只用于滤波，两个不同的干涉仪自由光谱范围相近但不相等，利用其游标效应实现温度灵敏度的放大。相比于现有光纤传感器，其温度传感的灵敏度更大。
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公开(公告)号：CN117908248A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410068869.3
申请日：2024-01-17
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于GS算法和深度学习的畸变涡旋光校正系统及方法。本发明提供的涡旋光畸变校正系统，由涡旋光发射模块、湍流传输模块、GS算法迭代模块、卷积神经网络训练模块、相位屏补偿模块构成。本发明基于GS算法，通过涡旋光初始光场和畸变光场的强度分布，计算出补偿相位屏，再将补偿相位屏和畸变光场组成训练集对卷积神经网络进行训练，经过训练后的卷积神经网络学习到GS算法生成补偿相位屏的能力，可以代替GS算法直接生成补偿相位屏，从而对涡旋光束的相位畸变进行实时校正。本发明训练卷积神经网络代替GS算法修复畸变涡旋光，并且生成补偿相位屏的速度从GS算法的几百毫秒提升至几十毫秒。
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公开(公告)号：CN111125900B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201911314058.2
申请日：2019-12-19
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种计算各向异性铁氧体三层结构Casimir作用的方法及系统，本发明涉及的一种计算各向异性铁氧体三层结构Casimir作用力的系统，包括：建立模块，用于建立各向异性铁氧体三层结构的模型；确定模块，用于确定所述各向异性铁氧体的电磁特性；第一计算模块，用于计算单轴各向异性材料层的传输矩阵；第二计算模块，用于计算所述各向异性材料三层结构反射系数矩阵；第三计算模块，用于计算所述各向异性铁氧体三层结构模型的Casimir作用力。本发明根据散射理论计算各向异性铁氧体三层结构Casimir作用力，能够准确地分析散射理论计算各向异性铁氧体三层结构Casimir作用力效果。(56)对比文件郭军.含特殊光学材料三明治结构间Casimir力的研究《.中国优秀硕士学位论文全文数据库》.2018,第5章.
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公开(公告)号：CN114157497B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202111482898.7
申请日：2021-12-07
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H04L9/40
摘要： 本发明一种基于块置乱的压缩感知OFDM‑PON安全通信系统，发送端与接收端通过光纤连接，光混沌发生器、光电转换器、抽样器、加法器依次连接；抽样器分别通过索序列生成器、混沌矩阵生成器连接块置乱器、乘法器，块置乱器通过乘法器连接加法器，加法器依次通过模数转换器、QAM调制器等连接电光转换器；电光转换器通过光纤连接接收端的光电转换器；光电转换器、去导频循环前缀器、串并变换器、FFT变换器、并串变换器、QAM去调制器、数模转换器；减法器、贝叶斯稀疏器、乘法器、逆向置乱器依次连接；二维离散余弦反变换器与乘法器连接；光混沌发生器依次通过光电转换器、抽样器与减法器连接；抽样器通过索引矩阵生成器与逆向置乱器连接。
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公开(公告)号：CN114024677B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202111245315.9
申请日：2021-10-26
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H04L9/30 , H04L9/14 , H04W12/03 , H04W12/041
摘要： 本发明具有双密钥的椭圆曲线加密的OFDM通信系统，发送端，信号发生器、乘法器都通过有限域加法器与异或运算器相连，乘法器还连接椭圆曲线加密器；Hash序列生成器通过椭圆曲线加密器连接异或运算器，异或运算器通过映射器后接两乘法器，两乘法器通过加法器连接串并变换器，串并变换器依次连接IFFT变换器、并串变换器、循环前缀导入器、数模变换器、滤波器、上变频器、5G天线；接收端，5G天线依次通过下变频器、滤波器、模数变换器、去导频循环前缀器、串并变换器、FFT变换器、并串变换器，并串变换器接两乘法器，两乘法器分别通过积分器接入映射器，映射器通过异或运算器连接有限域减法器；Hash序列生成器通过椭圆曲线加密器连接异或运算器。
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公开(公告)号：CN111986734B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202010748150.6
申请日：2020-07-30
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种二能级原子与双曲超构材料板之间Casimir‑Polder力的计算方法，包括步骤：S11.建立二能级原子和双曲超构材料板模型；S12.根据建立的模型确定双曲超构材料板的电磁特性；S13.计算双曲超构材料板中各向异性介质随时间演化的电场；S14.根据得到的电场计算原子内部动力学下的频移；S15.根据得到的频移计算二能级原子和双曲超构材料板模型的Casimir‑Polder力。本发明能够分析处于激发态的二能级原子共振频率分别位于双曲频段和非双曲频段时，原子所受Casimir‑Polder力的变化；本发明能够准确地反映出材料板间距对二能级原子与双曲超构材料板间Casimir‑Polder力的影响；由填充因子改变所反映的二能级原子与双曲超构材料板间Casimir‑Polder力的变化趋势本发明也能准确分析。
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公开(公告)号：CN111950143B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202010750717.3
申请日：2020-07-30
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/14
摘要： 本发明属于量子光学技术领域，具体涉及一种双曲超构材料空腔结构的Casimir‑Polder效应分析方法，包括如下步骤：建立双曲超构材料空腔结构的模型；确定双曲超构材料的电磁特性；计算共振原子能级频率偏移量及非共振原子能级频率偏移量；计算共振Casimir‑Polder势及非共振Casimir‑Polder势；计算原子在双曲超构材料空腔结构中的Casimir‑Polder力；能够准确地分析双曲超构材料空腔结构中的Casimir‑Polder势及Casimir‑Polder力，能够分析磁双曲超构材料和电双曲超构材料空腔结构产生Casimir‑Polder吸引力以及排斥力的原因，通过调整相应的参数，可以准确的分析Casimir‑Polder效应在双曲超构材料空腔结构中的特性。
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公开(公告)号：CN116907355A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310851809.4
申请日：2023-07-11
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明基于有限厚度拓扑绝缘体上的Imbert‑Fedorov位移分析方法及系统，方法包括以下步骤：步骤一：建立单层结构有限厚度拓扑绝缘体与两侧媒质构成的模型；步骤二：确定无穷表面带隙与有限表面带隙拓扑绝缘体的电磁特性；步骤三：求取单层结构拓扑绝缘体各界面的反射透射矩阵；步骤四：求取单层结构拓扑绝缘体以及入射和出射媒质中的电场和磁场；步骤五：通过能流法求取Imbert‑Fedorov位移。本发明通过能流法计算有限厚度拓扑绝缘体上的Imbert‑Fedorov位移，能够准确地分析有限厚度拓扑绝缘体上的Imbert‑Fedorov位移效应特性，所分析的特性能准确地反映Imbert‑Fedorov位移随有限厚度拓扑绝缘体的表面磁化方向、表面带隙大小、入射角、层厚度以及拓扑磁电极化率等影响因素的变化情况。
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公开(公告)号：CN109560447B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201811591893.6
申请日：2018-12-25
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种1*N(N＝1,2，…，5)可调谐布里渊频移间隔的多波长光纤激光系统，包括可调光源、光耦合器、泵浦激光器、波分复用器、掺铒光纤、光环行器、四端口光环行器、单模光纤及光谱仪。通过调节泵浦激光器的功率可以实现不同波长间隔的多波长输出，激光系统的结构简单、成本低、易于光纤系统集成、波长间隔可调谐(0.086nm，0.172nm，0.258nm，0.344nm，0.430nm)、调谐方便、线宽窄、激光输出的稳定性好。
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公开(公告)号：CN110008611B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910295167.8
申请日：2019-04-12
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明提出一种三能级原子在多层拓扑绝缘体结构中的自发辐射计算方法，包括：第一步：建立多层拓扑绝缘体结构的模型；第二步：确定拓扑绝缘体的电磁特性；第三步：确定电磁波在分界面上的边界条件；第四步：利用边界条件求得多层拓扑绝缘体的传输矩阵；第五步：求得多层拓扑绝缘体结构的反射系数；第六步：求出三能级原子位于多层拓扑绝缘体结构中的自发辐射率表达式。本发明能够准确分析位于多层拓扑绝缘体结构附近及其构成的腔中的三能级原子自发辐射率和量子干涉强度，准确定位各种参数和多层拓扑绝缘体材料对自发辐射和量子干涉的影响和根本原因，进而用以调控原子自发辐射和量子干涉。
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