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公开(公告)号：CN106997800A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710141002.6
申请日：2017-03-10
申请人： 杭州电子科技大学
CPC分类号： H01F1/047 , C22C1/03 , C22C22/00 , C22F1/16 , H01F41/0253
摘要： 本发明涉及一种无稀土MnAlCuC永磁合金及其制备方法。本发明按原子百分比配置成理论成分为Mn50+zAl50‑x‑zCuxCy，采用非自耗真空电弧炉，将配比好的母合金原料放入通有循环冷却水的铜坩埚中，将合金反复熔炼3‑4遍，得到成分均匀的MnAlCuC合金铸锭；将上述MnAlCuC合金进行真空热处理，得到τ相的MnAlCuC合金；将上述τ相的MnAlCuC合金进行球磨处理，获得τ相MnAlCuC合金粉末，即高矫顽力无稀土MnAlCuC各向异性永磁合金。与现有的技术相比，本发明成本低，Mn含量低，制作工艺简单，制得的MnAlCuC永磁合金永磁性能好、矫顽力高，饱和磁化强度高。
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公开(公告)号：CN106431402B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201610868690.1
申请日：2016-09-30
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： C04B35/50
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料，所述超巨磁电阻材料的化学通式为：(PrCLaDSrECaF)MnO3，其中，Mn为金属锰，O为氧，其中，C+D=0.7，E+F=0.3，所述超巨磁电阻材料具有ABO3型钙钛矿晶体结构。本发明还公开了钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的制备方法。本发明的钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的控制方法工艺简单，易于实现。制备得到的磁性材料在外加磁场下电阻变化显著，磁电阻较高，金属‑绝缘转变温度及磁电阻最大值在200～300K温度范围内随成分变化连续可调，且本发明的超巨磁电阻材料具有良好的磁电性能。
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公开(公告)号：CN106997800B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710141002.6
申请日：2017-03-10
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种无稀土MnAlCuC永磁合金及其制备方法。本发明按原子百分比配置成理论成分为Mn50+zAl50‑x‑zCuxCy，采用非自耗真空电弧炉，将配比好的母合金原料放入通有循环冷却水的铜坩埚中，将合金反复熔炼3‑4遍，得到成分均匀的MnAlCuC合金铸锭；将上述MnAlCuC合金进行真空热处理，得到τ相的MnAlCuC合金；将上述τ相的MnAlCuC合金进行球磨处理，获得τ相MnAlCuC合金粉末，即高矫顽力无稀土MnAlCuC各向异性永磁合金。与现有的技术相比，本发明成本低，Mn含量低，制作工艺简单，制得的MnAlCuC永磁合金永磁性能好、矫顽力高，饱和磁化强度高。
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公开(公告)号：CN106431402A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610868690.1
申请日：2016-09-30
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： C04B35/50
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料，所述超巨磁电阻材料的化学通式为：(PrCLaDSrECaF)MnO3，其中，Mn为金属锰，O为氧，其中，C+D=0.7，E+F=0.3，所述超巨磁电阻材料具有ABO3型钙钛矿晶体结构。本发明还公开了钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的制备方法。本发明的钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的控制方法工艺简单，易于实现。制备得到的磁性材料在外加磁场下电阻变化显著，磁电阻较高，金属-绝缘转变温度及磁电阻最大值在200～300K温度范围内随成分变化连续可调，且本发明的超巨磁电阻材料具有良好的磁电性能。
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公开(公告)号：CN113151719B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202011517734.9
申请日：2020-12-21
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开一种无稀土MnAlIn永磁合金及其制备方法。其成分为Mn50+xAl50‑x‑yInyCz，其中x＝0～4，y＝1～3，z＝0～3。本发明选择Mn、Al、In和C作为永磁合金的原料，他们不仅具有优异的机械加工性能和良好的耐腐蚀性能，并且成本低廉，制备工艺简单，不需要用复杂的磁场处理；本发明采用高真空快淬工艺使晶粒显著细化，同时经过后续的热处理过程在晶界附近处析出的低熔点In单质可以钉扎畴壁，阻止畴壁的移动，从而有效的提高了合金的矫顽力；本发明综合了热处理、高真空快淬、热压和热变形等多种工艺，在保持较高的饱和磁化强度的条件下，实现了MnAl基永磁合金矫顽力的有效提高。
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公开(公告)号：CN114156030A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111126735.5
申请日：2021-09-26
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了提供了一种高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金，所述高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金的名义分子式为Mn50+xAl50‑x‑yMy，其中x＝0～3，y＝1～3，M为Zn或W。本发明的高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金不仅具有优异的机械加工性能和良好的耐腐蚀性能，并且价格低廉，制备工艺简单，不需要用复杂的磁场处理。本发明还提供了一种高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金制备方法，通过调控掺杂元素与热处理工艺实现了矫顽力温度系数由负转为正值，工艺简单便捷，生产成本较低，便于实际的生产与推广。
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公开(公告)号：CN113151719A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202011517734.9
申请日：2020-12-21
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开一种无稀土MnAlIn永磁合金及其制备方法。其成分为Mn50+xAl50‑x‑yInyCz，其中x＝0～4，y＝1～3，z＝0～3。本发明选择Mn、Al、In和C作为永磁合金的原料，他们不仅具有优异的机械加工性能和良好的耐腐蚀性能，并且成本低廉，制备工艺简单，不需要用复杂的磁场处理；本发明采用高真空快淬工艺使晶粒显著细化，同时经过后续的热处理过程在晶界附近处析出的低熔点In单质可以钉扎畴壁，阻止畴壁的移动，从而有效的提高了合金的矫顽力；本发明综合了热处理、高真空快淬、热压和热变形等多种工艺，在保持较高的饱和磁化强度的条件下，实现了MnAl基永磁合金矫顽力的有效提高。
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公开(公告)号：CN107578878A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710844964.8
申请日：2017-09-19
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明提供一种全陶瓷高温超导线圈及其制造方法。本发明中的全陶瓷高温超导线圈，至少有一匝绝缘陶瓷材料包覆的高温超导线圈；超导线用的高温超导材料、匝间的绝缘材料和线圈骨架材料均为陶瓷材料，全陶瓷高温超导线圈的工作温度在80 K以下。本发明所采用3D打印快速成型技术，直接由高温超导材料和绝缘陶瓷材料制作线圈。该方法制作简单，成本低。同时该方案避免了高温超导材料的制线步骤，克服了制作线圈时对于绕线半径限制的困难，提高了线圈的运行温度和稳定性。
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公开(公告)号：CN207381201U
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201721197806.X
申请日：2017-09-19
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本实用新型提供一种全陶瓷高温超导线圈。本实用新型中的全陶瓷高温超导线圈，至少有一匝绝缘陶瓷材料包覆的高温超导线圈；超导线用的高温超导材料、匝间的绝缘材料和线圈骨架材料均为陶瓷材料，全陶瓷高温超导线圈的工作温度在80 K以下。本实用新型所采用3D打印快速成型技术，直接由高温超导材料和绝缘陶瓷材料制作线圈。该方法制作简单，成本低。同时该方案避免了高温超导材料的制线步骤，克服了制作线圈时对于绕线半径限制的困难，提高了线圈的运行温度和稳定性。
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