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发明公开
一种低辐射损耗的N78频段微带滤波器审中-实审

公开(公告)号：CN117374539A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311444503.3

申请日：2023-11-01

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 陈铭铭 , 饶云博 , 梁尚清 , 韦博

IPC分类号： H01P1/203

摘要： 本发明公开一种低辐射损耗的N78频段微带滤波器，通过引入缺陷地结构(DGS)和多层结构使谐振器与微带之间获得良好的耦合特性，从而让微带线具有带隙特性和慢波特性，并减小辐射损耗，减小滤波器的体积。本发明由接地层、介质层、缺陷地层和微带层组成，缺陷地层包含了两个工字形谐振器和缺陷地结构，微带层包含了输入馈线、输入馈电贴片、输出馈线、输出馈电贴片和工字形谐振器。顶层微带层和底层接地层通过金属化接地孔相连。本发明的优点是N78频段内回波损耗性能好，辐射损耗低，结构简单易于实现，整体尺寸小。