公开(公告)号：CN110676673A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201911093181.6

申请日：2019-11-11

申请人： 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司

发明人： 陈亮 ,  蔡勇 ,  刘国华 ,  程知群

IPC分类号： H01S1/02

摘要： 本发明公开了一种基于多指栅结构的太赫兹辐射源器件及其调控方法。该太赫兹辐射源器件包括沟道层、沟道提供层、源极和漏极，该沟道层中感生有二维电子气(2DEG)沟道；且在沟道提供层上交替排布有两组栅极，当在该两组栅极上分别施加不同电压时，则位于该两组栅极下方的沟道区域及位于任意两个相邻栅极之间区域正下方的沟道区域中的2DEG浓度将存在差异，从而在这些沟道区域之间形成2DEG浓度差界面，继而若在源、漏极之间加载电压，将在沟道中构建周期性浓度差的驻波振荡结构，由此产生太赫兹辐射。本发明的太赫兹辐射源器件具有易于激发、高功率、可调制和便于小型化等优点，辐射频率可以在0.3THz-1.9THz范围内调整，轻便、易于集成，适于在多个领域广泛应用。

公开(公告)号：CN211045963U

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201921930218.1

申请日：2019-11-11

申请人： 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 ,  杭州电子科技大学

发明人： 陈亮 ,  蔡勇 ,  刘国华 ,  程知群

IPC分类号： H01S1/02

摘要： 本实用新型公开了一种基于多指栅结构的太赫兹辐射源器件，其包括沟道层、沟道提供层、源极和漏极，该沟道层中感生有二维电子气(2DEG)沟道；且在沟道提供层上交替排布有两组栅极，当在该两组栅极上分别施加不同电压时，则位于该两组栅极下方的沟道区域及位于任意两个相邻栅极之间区域正下方的沟道区域中的2DEG浓度将存在差异，从而在这些沟道区域之间形成2DEG浓度差界面，继而若在源、漏极之间加载电压，将在沟道中构建周期性浓度差的驻波振荡结构，由此产生太赫兹辐射。本实用新型的太赫兹辐射源器件具有易于激发、高功率、可调制和便于小型化等优点，辐射频率可以在0.3THz-1.9THz范围内调整，轻便、易于集成，适于在多个领域广泛应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利