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公开(公告)号：CN1206909A
公开(公告)日：1999-02-03
申请号：CN98103067.X
申请日：1998-07-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/26 , G11B7/24 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T156/1002 , Y10T428/21 , Y10T428/31507 , Y10T428/31678
Abstract: 光学信息记录介质包括第一基片;在第一基片的表面上提供的至少一层介电层和一层记录信号用的记录层;和第二基片。第一基片和第二基片以平面对称方式翘曲的状态组合在一起并被平整化。第一介电层和记录层处在第一基片和第二基片之间。
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公开(公告)号：CN1384497A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02119213.8
申请日：2002-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2433 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B7/26 , Y10T428/21 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供的是在光盘表面上形成防污染膜、难以污染、即使污染易于去除的光信息记录介质及其制造方法。一种光记录介质,在光信息记录介质的基体(11)上至少具有反射膜(17)、记录膜(14)和保护膜(16),保护膜(16)在与基体(11)相对侧表面上形成,在基体(11)和保护膜(16)中至少一个的外层上形成硬涂敷树脂层(17),在硬涂敷树脂层(17)的外层上,形成由以一般式R4－m－nSiR’mZn－(其中R是含有3～25个碳原子碳链基的基,Z为O、N或S,n为1、2或3,R’是氢原子或1～3个碳原子的烷基,m为0、1或2)表示有机硅烷分子形成的化学吸附膜(18)、其与硬涂层(17)形成共价键。
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公开(公告)号：CN1241190C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN02119213.8
申请日：2002-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2433 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B7/26 , Y10T428/21 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供的是在光盘表面上形成防污染膜、难以污染、即使污染易于去除的光信息记录介质及其制造方法。一种光记录介质，在光信息记录介质的基体(11)上至少具有反射膜(17)、记录膜(14)和保护膜(16)，保护膜(16)在与基体(11)相对侧表面上形成，在基体(11)和保护膜(16)中至少一个的外层上形成硬涂敷树脂层(17)，在硬涂敷树脂层(17)的外层上，形成由以一般式R4-m-nSiR’mZn-(其中R是含有3～25个碳原子碳链基的基，Z为O、N或S，n为1、2或3，R’是氢原子或1～3个碳原子的烷基，m为0、1或2)表示有机硅烷分子形成的化学吸附膜(18)、其与硬涂层(17)形成共价键。
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公开(公告)号：CN1175408C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN98103067.X
申请日：1998-07-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/26 , G11B7/24 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T156/1002 , Y10T428/21 , Y10T428/31507 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供了一种光学信息记录介质及其生产方法，该光学信息记录介质包括第一基片；在第一基片的表面上提供的至少一层介电层和一层记录信号用的记录层；和第二基片。第一基片和第二基片以平面对称方式翘曲的状态组合在一起并被平整化。第一介电层和记录层处在第一基片和第二基片之间。相对于现有技术而言，本发明使得用于单侧记录和再现的一种平整和低成本的光学信息记录介质的优势成为可能。
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