公开(公告)号：CN1215914A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98102652.4

申请日：1998-06-24

Applicant: 松下电子株式会社

Inventor： 长野能久 ,  久都内知惠 ,  十代勇治 ,  上本康裕 ,  藤井英治

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/55 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括:电容器,设置在其上带有一集成电路的支持基底上,含有一下电极、一介电膜和一上电极;第一层间绝缘膜,覆盖住电容器;第一互连极,有选择地设置在第一层间绝缘膜上,通过第一接触孔与集成电路和电容器电连接;第二层间绝缘膜,由臭氧TOES形成,覆盖住第一互连极;第二互连极,有选择地设置在第二层间绝缘膜上,通过第二接触孔与第一互连极电连接;及第三层间绝缘膜,覆盖住第二互连极。