公开(公告)号：CN118581445A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410112027.3

申请日：2024-01-26

申请人： 松山湖材料实验室

发明人： 张广宇 ,  余画 ,  王硕培 ,  李娜 ,  黄良峰 ,  周兰英

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B29/46 ,  C30B25/12 ,  C23C16/458

摘要： 本申请涉及一种晶圆级过渡金属硫属化合物及其制备方法和装置。本申请的晶圆级过渡金属硫属化合物的制备装置中，在竖直方向上，用于支撑衬底的支撑位的位置高于第一源支撑面和第二源支撑面。使用该晶圆级过渡金属硫属化合物的制备装置进行晶圆级过渡金属硫属化合物的制备时，能够降低硫族源和过渡金属源在衬底表面的不均匀性。同时，本申请的晶圆级过渡金属硫属化合物的制备方法利用上述装置，源在竖直方向上沿逆重力方向传输到衬底表面，有效解决了大尺寸的晶圆级过渡金属硫属化合物制备时的均匀性较差的问题。同时可以通过增加衬底支撑位点的方式实现一次多片批量化生长。