阻气性膜及其制造方法以及使用该阻气性膜的电子器件

    公开(公告)号:CN105451984A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201480037866.8

    申请日:2014-06-30

    Inventor: 后藤良孝

    Abstract: 本发明提供一种具有优异的阻气性、高温高湿条件环境下的保存稳定性、特别密合性或耐弯曲性优异的阻气性膜。本发明涉及一种阻气性膜,其含有:基材、在所述基材的至少一面由无机化合物的气相成膜形成的阻隔层、和在所述基材的、至少与所述形成由无机化合物的气相成膜形成的阻隔层相同侧的面上所形成的、涂布含有聚硅氮烷化合物的溶液而形成的阻隔层,其特征在于,所述涂布含有聚硅氮烷化合物的溶液而形成的阻隔层含有选自由长周期型周期表的第2族、第13族及第14族的元素构成的组中的至少1种(其中,不包括硅及碳)的元素,所述涂布含有聚硅氮烷化合物的溶液而形成的阻隔层的厚度为0.1nm以上且低于150nm。

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