公开(公告)号：CN110249411B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN201680090904.5

申请日：2016-12-05

申请人： 校际微电子中心 ,  栗田工业株式会社

发明人： 颜畅子 ,  永井达夫 ,  法里德·赛巴伊 ,  库尔特·沃斯汀

IPC分类号： H01L21/304

摘要： 在制造半导体装置时的Ge、SiGe或锗化物层的洗涤工序中，不会溶解Ge、SiGe或锗化物而有效率地洗涤去除抗蚀剂、金属残渣。洗涤液使用硫酸浓度为90重量％以上且氧化剂浓度为200g/L以下的硫酸溶液。洗涤液可举出：将硫酸溶液电解而得到的电解液、将酸溶液混合过氧化氢而得到的溶液、或使臭氧气体溶解于硫酸溶液而得到的溶液，洗涤时的处理温度优选为50℃以下。

公开(公告)号：CN110249411A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201680090904.5

申请日：2016-12-05

申请人： 校际微电子中心 ,  栗田工业株式会社

发明人： 颜畅子 ,  永井达夫 ,  法里德·赛巴伊 ,  库尔特·沃斯汀

IPC分类号： H01L21/304

摘要： 在制造半导体装置时的Ge、SiGe或锗化物层的洗涤工序中，不会溶解Ge、SiGe或锗化物而有效率地洗涤去除抗蚀剂、金属残渣。洗涤液使用硫酸浓度为90重量％以上且氧化剂浓度为200g/L以下的硫酸溶液。洗涤液可举出：将硫酸溶液电解而得到的电解液、将酸溶液混合过氧化氢而得到的溶液、或使臭氧气体溶解于硫酸溶液而得到的溶液，洗涤时的处理温度优选为50℃以下。