公开(公告)号：CN100556799C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN03803837.4

申请日：2003-02-13

Applicant: 株式会社东京大学TLO ,  东丽株式会社

Inventor： 丸山茂夫 ,  吉川正人

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  Y10S977/843 ,  Y10T428/2918

Abstract: 在加热温度下使由含氧化合物构成的碳源气氛与催化剂接触，生成单层碳纳米管。由含氧化合物构成的碳源优选使用醇类和/或醚类，催化剂优选使用金属，加热温度优选500-1500℃。可生成不混入单层碳纳米管以外的杂质、缺陷少、品质优的单层碳纳米管。

公开(公告)号：CN1633393A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN03803837.4

申请日：2003-02-13

Applicant: 株式会社东京大学TLO ,  东丽株式会社

Inventor： 丸山茂夫 ,  吉川正人

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  Y10S977/843 ,  Y10T428/2918

Abstract: 在加热温度下使由含氧化合物构成的碳源气氛与催化剂接触，生成单层碳纳米管。由含氧化合物构成的碳源优选使用醇类和/或醚类，催化剂优选使用金属，加热温度优选500－1500℃。可生成不混入单层碳纳米管以外的杂质、缺陷少、品质优的单层碳纳米管。