公开(公告)号：CN1154138C

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN98127137.5

申请日：1998-12-16

申请人： 株式会社东芝

发明人： 奥富功 ,  关经世 ,  大岛岩 ,  本间三孝 ,  染井宏通 ,  内山工美 ,  丹羽芳充 ,  渡边宪治

IPC分类号： H01H33/66 ,  H01H1/02

CPC分类号： H01H33/6644 ,  H01H33/185

摘要： 本发明披露了一种用于通断电路的真空断路器的电极结构，包括：一对触头部件，用于通过使触头沿着预定方向彼此相对运动而使触头相互接触和分开；一对导电杆，分别和所述一对触头部件相连，用于对触头部件提供导电通路；以及具有磁本体的磁化装置，用于在触头部件之间产生平行于预定方向的磁场，所述磁本体由铁合金构成，所述铁合金包括按重量计算0.02到1.5%的碳和铁，磁本体包括至少一对磁部件，所述磁部件的一个被设置在所述一对触头部件的一个上，并且另一个磁部件被设置在另一个触头部件上。铁合金还包括至少锰和硅之一。

公开(公告)号：CN1163926C

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN00101829.9

申请日：2000-02-01

申请人： 株式会社东芝

发明人： 奥富功 ,  草野贵史 ,  大岛岩 ,  本间三孝 ,  山本敦史 ,  西村隆宣

IPC分类号： H01H33/664 ,  C23C14/00 ,  C22C9/00

CPC分类号： H01H1/0203

摘要： 作为接点，采用{W-CuxSb一余量Cu}合金；作为该合金中的耐电弧成分，采用粒径为0.4～9μm并且含量为65～85%的W或WMo；作为辅助成分，采用粒径为0.02～20μm并且含量为0.09～1.4%的CuxSb，x＝1.9～5.5，平均粒子间距为0.2～300um。另外，作为导电成分，采用Cu、CuSb固溶体，在该CuSb固溶体中存在0.5%以下呈固溶状态的Sb。结果使得，在受到电弧作用时，能够减少由蒸发所引起的CuxSb的飞散，抑制在接点面上产生对再起弧的发生具有不利影响的明显的龟裂，减轻W粒子的飞散脱落，减少接点表面的熔化和飞散损伤，并能同时提高接点的再起弧抑制特性和接触电阻特性。

公开(公告)号：CN1224910A

公开(公告)日：1999-08-04

申请号：CN98127137.5

申请日：1998-12-16

申请人： 株式会社东芝

发明人： 奥富功 ,  关经世 ,  大岛岩 ,  本间三孝 ,  染井宏通 ,  内山工美 ,  丹羽芳充 ,  渡边宪治

IPC分类号： H01H33/66 ,  H01H1/02

CPC分类号： H01H33/6644 ,  H01H33/185

摘要： 本发明披露了一种用于通断电路的真空断路器的电极结构,包括:一对触头部件,用于通过使触头沿着预定方向彼此相对运动而使触头相互接触和分开;一对导电杆,分别和所述一对触头部件相连,用于对触头部件提供导电通路;以及具有磁本体的磁化装置,用于在触头部件之间产生平行于预定方向的磁场,所述磁本体由铁合金构成,所述铁合金包括按重量计算0.02到1.5%的碳和铁。铁合金还包括至少锰和硅之一。

公开(公告)号：CN1264142A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00101829.9

申请日：2000-02-01

申请人： 株式会社东芝

发明人： 奥富功 ,  草野贵史 ,  大岛岩 ,  本间三孝 ,  山本敦史 ,  西村隆宣

IPC分类号： H01H33/664 ,  C23C14/00 ,  C22C9/00

CPC分类号： H01H1/0203

摘要： 作为接点,采用{W－CuxSb－余量Cu}合金;作为该合金中的耐电弧成分,采用粒径为0.4～9μm并且含量为65～85%的W或WMo;作为辅助成分,采用粒径为0.02～20μm并且含量为0.09～1.4%的CuxSb,x=1.9～5.5,平均粒子间距为0.2～300μm。另外,作为导电成分,采用Cu、CuSb固溶体,在该CuSb固溶体中存在0.5%以下呈固溶状态的Sb。结果使得,在受到电弧作用时,能够减少由蒸发所引起的CuxSb的飞散,抑制在接点面上产生对再起弧的发生具有不利影响的明显的龟裂,减轻W粒子的飞散脱落,减少接点表面的熔化和飞散损伤,并能同时提高接点的再起弧抑制特性和接触电阻特性。

公开(公告)号：CN1132212C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN98105126.X

申请日：1998-01-13

申请人： 株式会社东芝

发明人： 奥富功 ,  山本敦史 ,  大岛岩 ,  关经世 ,  长部清 ,  草野贵史 ,  关口薰旦

IPC分类号： H01H33/66 ,  H01H1/02

摘要： 本发明的真空开关的触点材料是由74～88%(重量)的平均粒径0.4～6μm的W、0.001～5%(重量)的平均粒径0.4～4μm的Mo、余量为Cu组成的合金，以W、Mo一体化、其平均粒径处于0.4～10μm的范围作为构成。通过达到如以上那样，提高再点弧性能和耐电弧消耗性能。

公开(公告)号：CN1192573A

公开(公告)日：1998-09-09

申请号：CN98105126.X

申请日：1998-01-13

申请人： 株式会社东芝

发明人： 奥富功 ,  山本敦史 ,  大岛岩 ,  关经世 ,  长部清 ,  草野贵史 ,  关口薰旦

IPC分类号： H01H33/66 ,  H01H1/02

摘要： 本发明的真空开关的触点材料是由74～88%(重量)的平均粒径0.4～6μm的W、0.001～5%(重量)的平均粒径0.4～4μm的Mo、余量为Cu组成的合金,以W、Mo一体化、其平均粒径处于0.4～10μm的范围作为构成。通过达到如以上那样,提高再点弧性能和耐电弧消耗性能。