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公开(公告)号：CN114447227A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110985788.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及光电转换元件、涂布液、涂布方法和涂布装置。提供能改善特性的光电转换元件、涂布液、涂布方法和涂布装置。根据实施方式，光电转换元件包含第1导电层、第2导电层和设于上述第1导电层及上述第2导电层之间的光电转换层。上述光电转换层包含钙钛矿型化合物和第1化合物，上述第1化合物包含选自吡咯烷酮衍生物、尿素衍生物、咪唑衍生物、吡啶衍生物和二胺衍生物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN105339460A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480036402.5
申请日：2014-06-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/126 , C08G75/00 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/148 , C08G2261/149 , C08G2261/314 , C08G2261/3243 , C08G2261/344 , C08G2261/91 , H01L51/0043 , H01L51/0047 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 在一实施方式中，聚合物包括由如下所示的式(1)表示的重复单元。该聚合物的重均分子量为3000以上至1000000以下的范围。式中，R1表示选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳族基、和取代或未取代的杂芳族基中的一价基团。R2、R3和R4独立地表示选自氢、卤素、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳族基、和取代或未取代的杂芳族基中的一价基团。X、Y和Z独立地表示选自O、S和Se的原子。
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公开(公告)号：CN119451373A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410270748.7
申请日：2024-03-11
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 实施方式的光电转换元件(100)具备基板(110)、第1电极(120)、包含具有由ABX3所表示的组成的钙钛矿晶体的光电转换膜(130)、电子输送层(140)和第2电极(150)。第2电极具备：第1层(160)，其配置于电子输送层(140)上，包含选自Ti、Sn、Zn、Ce、In及Nb中的至少1种第1金属及第1金属的氧化物；和第2层(170)，其包含第2金属及第2金属的氧化物。第2层(170)具备存在于第1层(160)侧的第1区域(171)、存在于第1区域(171)上且具有比第1区域(171)低的氧浓度的第2区域(172)、和存在于第2区域(172)上且具有比第2区域(172)高的氧浓度的第3区域(173)。
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公开(公告)号：CN113646913A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080018229.1
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L51/44
Abstract: 实施方式的光电变换器件1具备：基板(2)；第1组件区域(3A)，具备第1下部电极(5A)、包含钙钛矿化合物的第1光电变换层(6A)以及第1上部电极(7A)；第2组件区域(3B)，具备第2下部电极(5B)、包含钙钛矿化合物的第2光电变换层(6B)以及第2上部电极(7B)；以及组件间区域(4A)，具备使下部电极间分离的第1槽(8)、使光电变换层间分离的第2槽(9)、将第1上部电极与第2下部电极进行电连接的导电部(11)以及使上部电极间分离的第3槽(10)。包括第1以及第2下部电极的基板和第1以及第2上部电极中的至少一方包含透光性材料。包含光反射材料、光散射材料以及光吸收材料中的至少1个材料的构件以覆盖第1槽、第2槽以及第3槽的第1组件区域侧的侧壁的方式配置于透光性材料侧。
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