磁共振成像装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103156607B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201210536530.9

    申请日:2012-12-12

    发明人: 横井基尚

    IPC分类号: A61B5/055

    摘要: 本发明的实施方式涉及磁共振成像(MRI)装置。本发明提供一种在冷却容器为无液体氦的结构的情况下,能够抑制淬火的发生风险的MRI装置。MRI装置具有:超导电线圈单元,包括超导电线圈和支承超导电线圈的支承部件;无液体氦的冷却容器,收纳超导电线圈单元;以及多个冷冻机,配置于超导电线圈单元上,使超导电线圈单元冷却。

    磁共振成像装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103156607A

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN201210536530.9

    申请日:2012-12-12

    发明人: 横井基尚

    IPC分类号: A61B5/055

    摘要: 本发明的实施方式涉及磁共振成像(MRI)装置。本发明提供一种在冷却容器为无液体氦的结构的情况下,能够抑制淬火的发生风险的MRI装置。MRI装置具有:超导电线圈单元,包括超导电线圈和支承超导电线圈的支承部件;无液体氦的冷却容器,收纳超导电线圈单元;以及多个冷冻机,配置于超导电线圈单元上,使超导电线圈单元冷却。

    磁共振成像装置以及磁共振成像方法

    公开(公告)号:CN103371822B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201310135377.3

    申请日:2013-04-18

    IPC分类号: A61B5/055

    摘要: 本发明的实施方式涉及磁共振成像装置以及磁共振成像方法。一个实施方式的MRI装置(20)具备充放电控制部(56、126、128)、判定部(102、132、134、136、140、142)、条件限制部(104)。充放电控制部包括充放电元件(126)并且通过接收电力供给来对充放电元件进行充电,在执行磁共振成像时针对倾斜磁场线圈(26)供给来自充放电元件的放电电力。判定部判定充放电元件的电容是否小于阈值。在充放电元件的电容小于阈值的情况下,条件限制部通过限制拍摄序列的条件,来限制向倾斜磁场线圈的电力供给量。

    磁共振成像装置以及磁共振成像方法

    公开(公告)号:CN103371822A

    公开(公告)日:2013-10-30

    申请号:CN201310135377.3

    申请日:2013-04-18

    IPC分类号: A61B5/055

    摘要: 本发明的实施方式涉及磁共振成像装置以及磁共振成像方法。一个实施方式的MRI装置(20)具备充放电控制部(56、126、128)、判定部(102、132、134、136、140、142)、条件限制部(104)。充放电控制部包括充放电元件(126)并且通过接收电力供给来对充放电元件进行充电,在执行磁共振成像时针对倾斜磁场线圈(26)供给来自充放电元件的放电电力。判定部判定充放电元件的电容是否小于阈值。在充放电元件的电容小于阈值的情况下,条件限制部通过限制拍摄序列的条件,来限制向倾斜磁场线圈的电力供给量。