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公开(公告)号:CN119256403A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202380040956.1
申请日:2023-05-16
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: H01M4/38 , H01M4/36 , H01M4/134 , H01M10/0525 , H01M4/02
Abstract: 本发明提供一种负极活性材料,其通过恢复二次颗粒化过程中对硅晶体造成的损伤来提高导电性和耐久性。本发明的一实施例提供一种负极活性材料,其包括:第二硅颗粒,通过将第一硅颗粒凝聚而成;及碳层,位于上述第二硅颗粒上,包括上述负极活性材料的半电池(half‑cell)的微分容量曲线(differential capacity plot)中满足上述式1。
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