公开(公告)号：CN102119055A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200980131304.9

申请日：2009-08-10

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 佐藤俊介 ,  森川健志 ,  毛利登美子 ,  佐伯周 ,  梶野勉 ,  田中洋充

IPC: B01J35/00

CPC classification number: B01J35/004 ,  B01J23/20 ,  B01J27/04 ,  B01J31/1815 ,  B01J2531/74 ,  B01J2531/821

Abstract: 本发明提供了一种具有高选择性并利用较长波长的光进行还原反应的光催化剂。光催化剂具有半导体和基材相接合的结构，其中通过将激发电子迁移至所述基材而使该基材引发催化反应，所述激发电子通过对所述半导体照射光而产生。

公开(公告)号：CN102119055B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN200980131304.9

申请日：2009-08-10

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 佐藤俊介 ,  森川健志 ,  毛利登美子 ,  佐伯周 ,  梶野勉 ,  田中洋充

IPC: B01J35/00

CPC classification number: B01J35/004 ,  B01J23/20 ,  B01J27/04 ,  B01J31/1815 ,  B01J2531/74 ,  B01J2531/821

Abstract: 本发明提供了一种具有高选择性并利用较长波长的光进行还原反应的光催化剂。光催化剂具有半导体和基材相接合的结构，其中通过将激发电子迁移至所述基材而使该基材引发催化反应，所述激发电子通过对所述半导体照射光而产生。