公开(公告)号：CN101562153A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910132820.5

申请日：2009-04-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  野村典嗣

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/50 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1233 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明名称为半导体装置及半导体装置的制造方法。中间夹着绝缘层贴合具有脆弱层的单晶半导体衬底和基础衬底，通过热处理以脆弱层为界线分离单晶半导体衬底，并在基础衬底上固定单晶半导体层，对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层处于部分熔化状态来进行再单晶化，而修复结晶缺陷。并且，使用光掩模对成为n型晶体管的岛状单晶半导体层进行沟道掺杂，接着使用该光掩模对该成为n型晶体管的岛状单晶半导体层进行回蚀刻，来将其减薄到薄于成为p型晶体管的岛状单晶半导体层的厚度。

公开(公告)号：CN101562153B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN200910132820.5

申请日：2009-04-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  野村典嗣

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/50 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1233 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明名称为半导体装置及半导体装置的制造方法。中间夹着绝缘层贴合具有脆弱层的单晶半导体衬底和基础衬底，通过热处理以脆弱层为界线分离单晶半导体衬底，并在基础衬底上固定单晶半导体层，对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层处于部分熔化状态来进行再单晶化，而修复结晶缺陷。并且，使用光掩模对成为n型晶体管的岛状单晶半导体层进行沟道掺杂，接着使用该光掩模对该成为n型晶体管的岛状单晶半导体层进行回蚀刻，来将其减薄到薄于成为p型晶体管的岛状单晶半导体层的厚度。