公开(公告)号：CN110998806B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201880048953.1

申请日：2018-03-23

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 平松宏朗 ,  西堂周平 ,  牛田卓朗

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/318

摘要： 使形成于基板上的膜的基板面内及面间均匀性提升。第一及第三气体供给部分别具有管状的喷嘴，该管状的喷嘴沿着基板保持件在上下方向上延伸且形成有多个气体供给孔，多个气体供给孔中的形成于所述喷嘴的最上方的气体供给孔的上端与在上方虚拟晶圆支撑区域所支撑的最上方的虚拟晶圆对应地配置，并且形成于所述喷嘴的最下方的气体供给孔的下端与在下方虚拟晶圆支撑区域所支撑的最下方的虚拟晶圆对应地配置，第二气体供给部具有管状的喷嘴，该管状的喷嘴沿着基板保持件在上下方向上延伸，且形成有由多个气体供给孔或缝隙状的开口部构成的气体供给口，气体供给口至少朝向所述产品晶圆支撑区域开口。

公开(公告)号：CN110998806A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880048953.1

申请日：2018-03-23

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 平松宏朗 ,  西堂周平 ,  牛田卓朗

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/318

摘要： 使形成于基板上的膜的基板面内及面间均匀性提升。第一及第三气体供给部分别具有管状的喷嘴，该管状的喷嘴沿着基板保持件在上下方向上延伸且形成有多个气体供给孔，多个气体供给孔中的形成于所述喷嘴的最上方的气体供给孔的上端与在上方虚拟晶圆支撑区域所支撑的最上方的虚拟晶圆对应地配置，并且形成于所述喷嘴的最下方的气体供给孔的下端与在下方虚拟晶圆支撑区域所支撑的最下方的虚拟晶圆对应地配置，第二气体供给部具有管状的喷嘴，该管状的喷嘴沿着基板保持件在上下方向上延伸，且形成有由多个气体供给孔或缝隙状的开口部构成的气体供给口，气体供给口至少朝向所述产品晶圆支撑区域开口。

公开(公告)号：CN115116844A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210269414.9

申请日：2022-03-18

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 花岛建夫 ,  原田和宏 ,  牛田卓朗

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  B08B5/02

摘要： 本申请涉及喷嘴的清洁方法、基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。本申请通过将清洁后的残留元素有效地除去，从而减少成膜处理中的膜厚变动。本申请提供一种喷嘴的清洁方法，在具有多个喷嘴的反应管内处理基板并搬出后，具有：(a)向多个喷嘴中的至少一个喷嘴供给清洁气体的工序和(b)向进行了所述(a)工序后的至少一个喷嘴向供给含有氢和氧的气体的工序。