公开(公告)号：CN117480376A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202280041887.1

申请日：2022-05-25

Applicant: 株式会社堀场制作所

Inventor： 橘孝平 ,  中村桂史 ,  新名広大 ,  宫脇大辅 ,  渡边刚士 ,  井户琢也

IPC: G01N21/3504

Abstract: 本发明提供分析装置以及分析方法，抑制吹扫气体的消耗量，并且适当地进行分析装置的防爆对策。分析装置(100)具备填充部(3)、照射部(5)、传播部(7)、箱体(1)、吹扫气体导入部(40)和防爆气体导入部(20)。在填充部(3)中填充包含测定对象气体的试样气体(SG)。照射部(5)照射用于测定对象气体的分析的测定光(L)。传播部(7)设置在填充部(3)与照射部(5)之间，形成使从照射部(5)照射的测定光(L)向填充部(3)传播的传播空间(TS)。箱体(1)收纳填充部(3)、照射部(5)和传播部(7)。吹扫气体导入部(40)向传播空间(TS)导入吹扫气体(PG)。防爆气体导入部(20)向箱体(1)的内部空间导入防爆用气体(EP)。

公开(公告)号：CN116918197A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280018268.0

申请日：2022-02-21

Applicant: 株式会社堀场制作所

Inventor： 栗根悠介 ,  松滨诚 ,  塚谷康辅 ,  新名広大 ,  井户琢也

IPC: H01S5/022

Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置。抑制在半导体激光装置的封装件内的杂散光的产生，而且尽可能地抑制输出的激光的强度在每个半导体激光装置中的个体差。半导体激光装置用于光学分析，其包括：封装件，在内部收容半导体激光元件；以及光反射减少部件，设置在所述封装件的内部，抑制从所述半导体激光元件发出的光的反射，所述光反射减少部件粘合于所述封装件的内表面。

公开(公告)号：CN118202228A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280073117.5

申请日：2022-11-25

Applicant: 株式会社堀场制作所

Inventor： 涩谷享司 ,  滨内翔太 ,  塚谷康辅 ,  新名広大 ,  井户琢也

IPC: G01N21/3504

Abstract: 本发明高精度地测定工艺气体中的测定对象成分的浓度，基于4.23～4.24μm或4.34～4.35μm的二氧化碳的吸收计算二氧化碳的浓度，基于4.59～4.61μm的一氧化碳的吸收计算一氧化碳的浓度，基于5.89～6.12μm的水的吸收计算水的浓度，基于7.56～7.66μm或7.27～7.81μm的乙炔的吸收计算乙炔的浓度，基于7.67～7.80μm或8.10～8.14μm的甲烷的吸收计算甲烷的浓度，基于8.46～8.60μm的乙烯的吸收计算乙烯的浓度，基于6.13～6.14μm或6.09～6.45μm的乙烷的吸收计算乙烷的浓度，基于6.06～6.25μm或8.62～9.09μm的氨的吸收计算氨的浓度，基于9.35～9.62μm的甲醇的吸收计算甲醇的浓度。

公开(公告)号：CN118176413A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280073131.5

申请日：2022-11-25

Applicant: 株式会社堀场制作所

Inventor： 涩谷享司 ,  滨内翔太 ,  花田贵明 ,  福城显辅 ,  原健儿 ,  名仓直希 ,  塚谷康辅 ,  新名広大 ,  井户琢也

IPC: G01N21/3504

Abstract: 本发明提供分析装置、分析装置用程序以及分析方法。本发明是在利用光吸收的分析装置中，降低因周围温度变化而引起的激光光源的振荡波长的调制宽度的变动，高精度地测定测定对象成分的浓度，分析样品中包含的测定对象成分的分析装置(100)，具备：激光光源(2)，向样品照射参照光；光检测器(5)，检测参照光透过样品后的样品光的强度；温度调节部(3)，调整激光光源的温度；温度传感器(4)，检测激光光源的周围温度；关系数据存储部(73)，存储调制校正用关系数据，所述调制校正用关系数据表示激光光源(2)的周围温度与校正用参数的关系，所述校正用参数用于校正激光光源的相对于用于测定测定对象成分的既定的调制宽度的调制宽度偏移；以及控制部(7)，使用温度传感器(4)的检测温度以及调制校正用关系数据，变更温度调节部(3)的目标温度，或者变更为了激光光源(2)的波长调制而施加的驱动电压和驱动电流中的至少一方。