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公开(公告)号：CN115038665A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202180012077.9
申请日：2021-01-22
Applicant: 株式会社德山
IPC: C01B21/072 , B65D77/00
Abstract: 制造块状物状态的氮化铝，其能通过轻粉碎很容易地细化，这是通过现有的燃烧合成法无法得到的。一种氮化铝粉末的制造方法，其为通过使用金属铝粉末的燃烧合成法制造氮化铝的方法，其特征在于，将混合粉末在氮气气氛下点火使其燃烧，所述混合粉末是将作为稀释剂的平均一次粒径3μm以下的氮化铝粉末以相对于金属铝粉末100质量份为150～400质量份的比例混合而得到的。
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公开(公告)号：CN115038665B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202180012077.9
申请日：2021-01-22
Applicant: 株式会社德山
IPC: C01B21/072 , B65D77/00
Abstract: 制造块状物状态的氮化铝，其能通过轻粉碎很容易地细化，这是通过现有的燃烧合成法无法得到的。一种氮化铝粉末的制造方法，其为通过使用金属铝粉末的燃烧合成法制造氮化铝的方法，其特征在于，将混合粉末在氮气气氛下点火使其燃烧，所述混合粉末是将作为稀释剂的平均一次粒径3μm以下的氮化铝粉末以相对于金属铝粉末100质量份为150～400质量份的比例混合而得到的。
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公开(公告)号：CN100432024C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200480038941.9
申请日：2004-10-28
Applicant: 株式会社德山
IPC: C04B37/00
CPC classification number: C04B37/005 , B32B18/00 , B32B2315/02 , C04B35/581 , C04B35/62655 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B37/003 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , C04B2235/661 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/122 , C04B2237/366 , C04B2237/64 , C04B2237/66 , C04B2237/708 , Y10T428/12736
Abstract: 本发明提供接合构造体，涉及在半导体制造方法中，作为半导体晶圆片保持用的静电夹盘的氮化铝接合体，其由经由烧结金属层接合的氮化铝烧结体形成，作为上述用途使用时，可均一进行半导体晶圆片的吸附处理。接合面的至少一部分形成有由厚度15～100μm的钨或钼组成的烧结金属层的2个氮化铝烧结体的接合体，是上述烧结金属层的薄片电阻率在1Ω/□以下，且上述烧结金属层的翘曲100μm/100mm以下，且上述接合面中的该烧结金属层和氮化铝烧结体之间的剪切强度为4kg/mm2以上的氮化铝烧结体。
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公开(公告)号：CN1898183A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038941.9
申请日：2004-10-28
Applicant: 株式会社德山
IPC: C04B37/00
CPC classification number: C04B37/005 , B32B18/00 , B32B2315/02 , C04B35/581 , C04B35/62655 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B37/003 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , C04B2235/661 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/122 , C04B2237/366 , C04B2237/64 , C04B2237/66 , C04B2237/708 , Y10T428/12736
Abstract: 本发明提供接合构造体，涉及在半导体制造方法中，作为半导体晶圆片保持用的静电夹盘的氮化铝接合体，其由经由烧结金属层接合的氮化铝烧结体形成，作为上述用途使用时，可均一进行半导体晶圆片的吸附处理。接合面的至少一部分形成有由厚度15～100μm的钨或钼组成的烧结金属层的2个氮化铝烧结体的接合体，是上述烧结金属层的薄片电阻率在1Ω/□以下，且上述烧结金属层的翘曲100μm/100mm以下，且上述接合面中的该烧结金属层和氮化铝烧结体之间的剪切强度为4kg/mm2以上的氮化铝烧结体。
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