公开(公告)号：CN118984886A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202280093779.9

申请日：2022-11-11

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 冈田胜久 ,  重田勇辉 ,  富坚靖久 ,  高滨吉隆

IPC分类号： C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/58 ,  C23C16/42

摘要： 本发明提供一种含有硅和氧的薄膜，其能够在短时间内提高含氟化合物的薄膜的密合性。一种含有硅和氧的薄膜，其含有硅、氧和铌，通过使用了X射线光电子能谱法的原子数测定得到的上述铌与上述硅的原子数比(Nb/Si)为0％～25％(不含两端点值)。

公开(公告)号：CN108690954B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201710229298.7

申请日：2017-04-10

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 长江亦周 ,  宫内充祐 ,  大泷芳幸 ,  重田勇辉 ,  佐守真悟

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/54

摘要： 本发明公开一种成膜装置及成膜方法，其用于形成薄膜，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构的成膜过程中向所述真空腔室内导入含羟基气体。

公开(公告)号：CN108690954A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201710229298.7

申请日：2017-04-10

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 长江亦周 ,  宫内充祐 ,  大泷芳幸 ,  重田勇辉 ,  佐守真悟

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/54

CPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  C23C16/455 ,  C23C14/548

摘要： 本发明公开一种成膜装置及成膜方法，其用于形成薄膜，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构的成膜过程中向所述真空腔室内导入含羟基气体。