公开(公告)号：CN102385203B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201110261776.5

申请日：2011-08-29

Applicant: 株式会社日本显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 佐藤贵夫 ,  佐藤健史

IPC: G02F1/1362 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13606

Abstract: 本发明提供一种显示装置。该显示装置在由2条图像信号线和2条扫描信号线所围成的区域内具有2个像素，包括：第一虚设布线，其连接在上述2条图像信号线中的1条图像信号线上；和第二虚设布线，其连接在上述2条图像信号线(DL)中的、与上述第一虚设布线所连接的图像信号线不同的图像信号线(DL)上，上述第一虚设布线和上述第二虚设布线沿着上述区域(A)的外形延伸到上述2个像素之间的位置，并且进一步延伸成在上述2个像素之间各自的端部相对。

公开(公告)号：CN103869552B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201310665079.5

申请日：2013-12-10

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 森本政辉 ,  佐藤健史 ,  扇一公俊

IPC: G02F1/1339 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/13306 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133388 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明的目的在于提供一种以高的密封性密封液晶材料的液晶显示装置及其制造方法。薄膜晶体管（26）包含：由金属构成的栅电极（28）、覆盖栅电极的光透射性的栅极绝缘膜（30）、经由栅极绝缘膜与栅电极重叠的半导体膜（32）以及在栅极绝缘膜的相反侧隔开间隔地形成于半导体膜上的由金属构成的源电极（34）及漏电极（36）。栅电极及半导体膜以栅极绝缘膜进入内侧的方式具有相互连通的贯通孔（28a、32a）。栅极绝缘膜具有栅电极及半导体膜的贯通孔的内侧区域。源电极及漏电极以与栅极绝缘膜的贯通孔的内侧区域的一部分重叠且避开残留部分的方式通过栅电极及半导体膜的贯通孔的内侧。

公开(公告)号：CN103257479B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310064872.X

申请日：2013-02-07

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 伊藤雅人 ,  樱井正人 ,  佐藤健史

IPC: G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/133711 ,  G02F1/134363

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，所述液晶显示装置抑制光导电流的影响、实现了烧结的大幅减少和显示性能提高。该液晶显示装置具有夹持液晶并相对配置的第1基板和第2基板，在上述第1基板的上述液晶侧的面的像素区域形成第1电极和多个第2电极，所述液晶显示装置具有取向膜，所述取向膜由也被覆上述第2电极在上述第1基板的液晶侧的面上形成的第1取向膜、和在上述第1取向膜的上述液晶侧的表面形成的第2取向膜形成，其特征在于，上述第2取向膜的电阻小于上述第1取向膜的电阻，并且，上述第2取向膜的透过率小于上述第1取向膜的透过率，至少上述第2取向膜由用作第1化合物的PMDA(pyromellitic acid dianhydride：苯均四酸二酐)与二胺化合物聚合得到的化合物形成。

公开(公告)号：CN103257479A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310064872.X

申请日：2013-02-07

Applicant: 株式会社日本显示器东

Inventor： 伊藤雅人 ,  樱井正人 ,  佐藤健史

IPC: G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/133711 ,  G02F1/134363

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，所述液晶显示装置抑制光导电流的影响、实现了烧结的大幅减少和显示性能提高。该液晶显示装置具有夹持液晶并相对配置的第1基板和第2基板，在上述第1基板的上述液晶侧的面的像素区域形成第1电极和多个第2电极，所述液晶显示装置具有取向膜，所述取向膜由也被覆上述第2电极在上述第1基板的液晶侧的面上形成的第1取向膜、和在上述第1取向膜的上述液晶侧的表面形成的第2取向膜形成，其特征在于，上述第2取向膜的电阻小于上述第1取向膜的电阻，并且，上述第2取向膜的透过率小于上述第1取向膜的透过率，至少上述第2取向膜由用作第1化合物的PMDA(pyromellitic acid dianhydride：苯均四酸二酐)与二胺化合物聚合得到的化合物形成。

公开(公告)号：CN103869552A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310665079.5

申请日：2013-12-10

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 森本政辉 ,  佐藤健史 ,  扇一公俊

IPC: G02F1/1339 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/13306 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133388 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明的目的在于提供一种以高的密封性密封液晶材料的液晶显示装置及其制造方法。薄膜晶体管（26）包含：由金属构成的栅电极（28）、覆盖栅电极的光透射性的栅极绝缘膜（30）、经由栅极绝缘膜与栅电极重叠的半导体膜（32）以及在栅极绝缘膜的相反侧隔开间隔地形成于半导体膜上的由金属构成的源电极（34）及漏电极（36）。栅电极及半导体膜以栅极绝缘膜进入内侧的方式具有相互连通的贯通孔（28a、32a）。栅极绝缘膜具有栅电极及半导体膜的贯通孔的内侧区域。源电极及漏电极以与栅极绝缘膜的贯通孔的内侧区域的一部分重叠且避开残留部分的方式通过栅电极及半导体膜的贯通孔的内侧。